[发明专利]用于二次外延预处理的腐蚀液、其制备方法及预处理方法在审
| 申请号： | 201911391363.1 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111073649A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 班雪峰;王翠鸾;刘素平;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;H01S5/12;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于二次外延预处理腐蚀液，该腐蚀液由氨水、过氧化氢和去离子水组成，呈碱性。采用该腐蚀液和其他有机溶剂对二次外延前的外延片进行处理，可以解决二次外延生长前外延片表面的洁净度不够导致外延生长后存在缺陷，制作的芯片达不到预期要求的问题。经过处理的外延片可以直接进行二次外延生长，无需其他额外的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 二次 外延 预处理 腐蚀 制备 方法 | ||
【主权项】：
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