[发明专利]用于二次外延预处理的腐蚀液、其制备方法及预处理方法在审
申请号: | 201911391363.1 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111073649A | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 班雪峰;王翠鸾;刘素平;马骁宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C09K13/00 | 分类号: | C09K13/00;H01S5/12;H01S5/343 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴梦圆 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 二次 外延 预处理 腐蚀 制备 方法 | ||
1.一种用于二次外延预处理的腐蚀液,其特征在于,所述腐蚀液包含氨水、过氧化氢和去离子水。
2.如权利要求1所述的腐蚀液,其特征在于,所述腐蚀液为碱性。
3.如权利要求1所述的腐蚀液,其特征在于,所述氨水、过氧化氢和去离子水按体积比1:1~5:2~10配置。
4.一种如权利要求1-3任一项所述的腐蚀液的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
量取去离子水和过氧化氢,将两者充分混合;
将混合后的去离子水和过氧化氢混合溶液静置10-20分钟;
量取氨水,倒入所述去离子水和过氧化氢混合溶液中,充分搅拌;
将混合后的氨水、过氧化氢和去离子水混合溶液静置0.5-1.5小时,完成所述腐蚀液的制备。
5.一种二次外延的预处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:确保需要预处理的外延片表面光亮洁净;
步骤2:将外延片放入盛有无水乙醇的器皿中,水浴加热至沸腾后继续煮2-3分钟,静置冷却至常温;
步骤3:倒掉无水乙醇后向器皿中倒入适量丙酮溶液,水浴加热至沸腾后继续煮2-3分钟,静置冷却至常温;
步骤4:倒掉丙酮后向器皿中倒入适量三氯乙烯溶液,水浴加热至沸腾后继续煮2-3分钟,静置冷却至常温;
步骤5:依次重复步骤3、步骤2,之后用去离子水采用满溢法冲洗外延片2-3分钟;
步骤6:将器皿内去离子水倒净后迅速倒入权利要求1-4中任意一项所述的腐蚀液,根据材料的种类腐蚀相应的时间;
步骤7:腐蚀结束后迅速将腐蚀液倒进废液瓶,用去离子水采用排水法清洗外延片30-50次,期间尽量保持外延片表面浸没在去离子水中,保持表面的亲水性;
步骤8:最将外延片取出,用匀胶机甩干外延片表面的去离子水后可以放至外延设备内直接进行二次外延生长。
6.如权利要求5所述的预处理方法,其特征在于,所述无水乙醇、丙酮溶液、三氯乙烯溶液均为MOS级。
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