[发明专利]用于二次外延预处理的腐蚀液、其制备方法及预处理方法

说明书

一种用于二次外延预处理腐蚀液，该腐蚀液由氨水、过氧化氢和去离子水组成，呈碱性。采用该腐蚀液和其他有机溶剂对二次外延前的外延片进行处理，可以解决二次外延生长前外延片表面的洁净度不够导致外延生长后存在缺陷，制作的芯片达不到预期要求的问题。经过处理的外延片可以直接进行二次外延生长，无需其他额外的工艺。

技术领域

本发明涉及激光器外延生长技术领域，具体涉及一种用于二次外延预处理的腐蚀液、其制备方法及预处理方法。

背景技术

大功率半导体激光器具有体积小、寿命长及效率高等优点，在固体激光器、光纤激光器以及放大器的泵浦中得到了广泛的应用。而被泵浦的器件比如固体激光器中的掺杂离子吸收峰谱宽只有几个纳米，所以窄线宽、波长稳定的泵浦源在应用中存在特别大的需求量。为了实现泵浦源半导体激光器的窄线宽和稳定波长输出，最有效的一种方法就是在半导体激光器中内置布拉格光栅，利用布拉格光栅的周期性结构实现光的分布反馈，激光器内部传输的光只有满足布拉格条件的才能形成稳定的光振荡，所以分布反馈(DFB)激光器的输出光谱被压窄，正是由于布拉格光栅的存在，激光器的波长随温度和电流的变化相对稳定。

制作分布反馈(DFB)激光器的关键技术之一就是二次外延生长。二次外延生长的质量直接决定了所生产芯片的的性能。因此二次外延前的预处理就显得尤为重要，常规的干法刻蚀及离子轰击等方法很难去除干净二次外延生长前外延片表面的沾附物和污染物，二次外延生长后存在缺陷导致外延片不够光亮，制作的芯片达不到预期结果。

如何解决二次外延生长前外延片表面的洁净度不够导致外延生长后存在缺陷，制作的芯片达不到预期要求的问题是本发明所欲实现的目的。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种用于二次外延预处理的腐蚀液及预处理方法，以期至少部分地解决上述技术问题中的至少之一。

为了实现上述目的，作为本发明发的一方面，提供了一种用于二次外延预处理的腐蚀液，所述腐蚀液包含氨水、过氧化氢和去离子水。

所述腐蚀液为碱性。

所述氨水、过氧化氢和去离子水按体积比1:1～5:2～10配置。

作为本发明的另一方面，提供了一种上述腐蚀液的制备方法，包括以下步骤：

量取去离子水和过氧化氢，将两者充分混合；

将混合后的去离子水和过氧化氢混合溶液静置10-20分钟；

量取氨水，倒入所述去离子水和过氧化氢混合溶液中，充分搅拌；

将混合后的氨水、过氧化氢和去离子水混合溶液静置0.5-1.5小时，完成所述腐蚀液的制备。

作为本发明的再一方面，还提供了一种利用上述腐蚀液对外延片在二次外延生长之前进行的预处理方法，包括以下步骤：

步骤1：确保需要预处理的外延片表面光亮洁净；

步骤2：将外延片放入盛有无水乙醇的器皿中，水浴加热至沸腾后继续煮2-3分钟，静置冷却至常温；

步骤3：倒掉无水乙醇后向器皿中倒入适量丙酮溶液，水浴加热至沸腾后继续煮2-3分钟，静置冷却至常温；

步骤4：倒掉丙酮后向器皿中倒入适量三氯乙烯溶液，水浴加热至沸腾后继续煮2-3分钟，静置冷却至常温；

步骤5：依次重复步骤3、步骤2，之后用去离子水采用满溢法冲洗外延片2-3分钟；

步骤6：将器皿内去离子水倒净后迅速倒入权利要求1-4中任意一项所述的腐蚀液，根据材料的种类腐蚀相应的时间；