[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201911391056.3 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111725316A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 木下朋子;篠原大辅;小松香奈子;石井良明;S·S·普拉巴卡兰 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体部分；第1绝缘膜，设置在上述半导体部分上；第2绝缘膜，设置在上述半导体部分上，与上述第1绝缘膜接触，比上述第1绝缘膜厚，形成有贯通孔；第1接触件，下端连接于上述半导体部分；第2接触件，下部配置在上述贯通孔内，下端连接于上述半导体部分；以及栅极电极，位于上述第1接触件与上述第2接触件之间，设置在上述第1绝缘膜上以及设置在上述第2绝缘膜中的除了上述贯通孔以外的部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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