[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体部分；

第1绝缘膜，设置在上述半导体部分上；

第2绝缘膜，设置在上述半导体部分上，与上述第1绝缘膜接触，比上述第1绝缘膜厚，形成有贯通孔；

第1接触件，下端连接于上述半导体部分；

第2接触件，下侧的一部分配置在上述贯通孔内，下端连接于上述半导体部分；以及

栅极电极，位于上述第1接触件与上述第2接触件之间，设置在上述第1绝缘膜上，以及设置在上述第2绝缘膜中的除了上述贯通孔以外的部分上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第2绝缘膜的上表面与上述第2绝缘膜的上述第1绝缘膜侧的第1侧面所成的角度是直角或锐角。

3.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第2绝缘膜中的与上述第1绝缘膜相反一侧的第2侧面将上述第2绝缘膜的上表面与下表面相连；

在从上述第1绝缘膜朝向上述第2绝缘膜的方向上，上述第2绝缘膜的上表面比上述第2绝缘膜的下表面短；

上述第2侧面具有：

与上述上表面相连的第1面；以及

与上述下表面相连的第2面。

4.如权利要求1所述的半导体装置，

上述半导体部分具有：

第1半导体层；

第1导电型的第2半导体层，设置于上述第1半导体层上的一部分；

第2导电型的第3半导体层，设置于上述第2半导体层上的一部分，连接于上述第1接触件；以及

上述第2导电型的第4半导体层，设置于上述第1半导体层上的其他一部分，连接于上述第2接触件。

5.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第2绝缘膜中的配置在上述半导体部分上的部分的厚度比上述第2绝缘膜中的配置在上述半导体部分内的部分的厚度厚。

6.如权利要求1所述的半导体装置，

还具备至少下部设置在上述半导体部分内的第3绝缘膜；

上述第3绝缘膜的下表面位于比上述第2绝缘膜的下表面靠下方的位置。

7.如权利要求6所述的半导体装置，

上述第3绝缘膜的上表面与上述第2绝缘膜的上表面为同一平面，或者上述第3绝缘膜的上表面位于比上述第2绝缘膜的上表面靠下方的位置。

8.一种半导体装置，具备：

半导体部分；

第1绝缘膜，设置在上述半导体部分上；

第2绝缘膜，设置在上述半导体部分上，与上述第1绝缘膜接触，比上述第1绝缘膜厚；以及

栅极电极，设置在上述第1绝缘膜上以及上述第2绝缘膜的一部分上；

上述第2绝缘膜的、与接触于上述第1绝缘膜的第1侧面对置且与上述第1绝缘膜分离的第2侧面，相对于上述第2绝缘膜的上表面倾斜。

9.如权利要求8所述的半导体装置，

上述第2绝缘膜的上述上表面与上述第2侧面所成的角是钝角。

10.如权利要求8所述的半导体装置，

上述第2绝缘膜的上述第2侧面向远离上述第1侧面的方向倾斜。

11.如权利要求8～10中任一项所述的半导体装置，

还具备：

第1接触件，下端连接于上述半导体部分；以及

第2接触件，下端连接于上述半导体部分；

上述栅极电极位于上述第1接触件与上述第2接触件之间；

上述第1绝缘膜位于上述第1接触件与上述第2绝缘膜之间；

上述第2绝缘膜位于上述第2接触件与上述第1绝缘膜之间。