[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911382924.1 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113053739A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;刘盼盼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成伪栅结构；在伪栅结构的侧壁上形成侧墙；在伪栅结构侧部的基底上形成层间介质层，层间介质层的顶面高于伪栅结构的顶面，层间介质层中形成有沟槽，露出伪栅结构和侧墙的顶部；在层间介质层的顶面、沟槽的侧壁、以及沟槽底部的伪栅结构和侧墙上形成刻蚀阻挡层；去除沟槽底部的刻蚀阻挡层和伪栅结构，在层间介质层中形成栅极开口；在栅极开口和沟槽中、以及刻蚀阻挡层上形成初始栅极结构；以刻蚀阻挡层作为停止层，对初始栅极结构进行第一平坦化处理，形成栅极结构。本发明实施例有利于提高栅极结构的高度一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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