[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成伪栅结构；

在所述伪栅结构的侧壁上形成侧墙；

在所述伪栅结构侧部的基底上形成层间介质层，所述层间介质层的顶面高于伪栅结构的顶面，所述层间介质层中形成有沟槽，露出所述伪栅结构和侧墙的顶部；

在所述层间介质层的顶面、沟槽的侧壁、以及沟槽底部的伪栅结构和侧墙上形成刻蚀阻挡层；

去除所述沟槽底部的刻蚀阻挡层和伪栅结构，在所述层间介质层中形成栅极开口；

在所述栅极开口和沟槽中、以及刻蚀阻挡层上形成初始栅极结构；

以所述刻蚀阻挡层作为停止层，对所述初始栅极结构进行第一平坦化处理，形成栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述层间介质层后，形成所述刻蚀阻挡层之前，所述半导体结构的形成方法还包括：去除部分厚度的所述伪栅结构和侧墙，使所述沟槽形成由层间介质层、剩余的侧墙顶部以及剩余的伪栅结构顶部围成的凹槽；

在所述层间介质层的顶面、凹槽的侧壁和底部形成所述刻蚀阻挡层；

去除所述凹槽底部的刻蚀阻挡层和伪栅结构，形成所述栅极开口。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的所述伪栅结构和侧墙的步骤包括：去除部分厚度的伪栅结构，使所述侧墙和剩余的伪栅结构围成初始凹槽；

去除所述初始凹槽的侧壁的所述侧墙，使所述层间介质层、剩余的侧墙顶部以及剩余的伪栅结构顶部围成所述凹槽。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向同性的干法刻蚀工艺，去除所述初始凹槽的侧壁的所述侧墙。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的伪栅结构的步骤中，所述伪栅结构的去除厚度为至

6.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学下游刻蚀工艺，去除部分厚度的伪栅结构。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述化学下游刻蚀工艺采用的刻蚀气体包括NF₃和H₂。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成刻蚀阻挡层的步骤中，所述刻蚀阻挡层的厚度为至

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述刻蚀阻挡层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺，去除所述沟槽底部的刻蚀阻挡层和伪栅结构。

11.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述凹槽底部的刻蚀阻挡层和伪栅结构的步骤包括：形成掩膜层，覆盖位于所述层间介质层上和凹槽侧壁的所述刻蚀阻挡层的顶部，所述掩膜层露出位于所述凹槽底部的刻蚀阻挡层；

以所述掩膜层为掩膜，去除位于所述凹槽底部的刻蚀阻挡层，露出所述伪栅结构的顶部；

以所述掩膜层和剩余的刻蚀阻挡层为掩膜，去除所述伪栅结构，形成所述栅极开口；

在形成所述栅极开口后，形成所述初始栅极结构之前，所述半导体结构的形成方法还包括：去除所述掩膜层。