[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201911382896.3 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113053751B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;刘盼盼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在第一栅极结构的侧壁形成第一侧墙，第一侧墙材料的介电常数大于或等于10；在第一区域第一侧墙两侧的基底中形成第一源漏掺杂区；在第二区域的第二栅极结构两侧的基底中形成第二源漏掺杂区；形成第一侧墙膜，第一侧墙膜材料的介电常数小于或等于5；对第一侧墙膜进行改性处理，适于提高第一侧墙膜的致密度，位于第一源漏掺杂区、第二源漏掺杂区和基底表面的经改性处理后的第一侧墙膜作为刻蚀阻挡层，位于第一侧墙和第二栅极结构侧壁未经改性处理的第一侧墙膜作为第二侧墙；形成层间介质层；去除高于第一栅极结构和第二栅极结构的第一侧墙膜。本发明有利于提高器件的性能以及工艺整合度和工艺兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
