[发明专利]沟槽内厚度渐变的场氧的制造方法和SGT器件的制造方法有效
| 申请号： | 201911375600.5 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111128706B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈正嵘 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽内厚度渐变的场氧的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底内形成沟槽；步骤二、采用热氧化工艺形成场氧；步骤三、淀积形成第二氧化层；步骤四、采用第三材料层填充完全填充沟槽；步骤五、将沟槽外的第二氧化层表面的第三材料层去除；步骤六、以第三材料层为自对准掩膜进行氧化层的湿法刻蚀，利用第二氧化层的湿法刻蚀速率大于场氧的湿法刻蚀速率的特点，在湿法刻蚀中沿第二氧化层一侧的场氧会加速刻蚀并在湿法刻蚀完成后从上往下场氧会形成厚度逐渐增加的结构；步骤七、去除第三材料层。本发明还公开了一种SGT器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 厚度 渐变 制造 方法 sgt 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
