[发明专利]沟槽内厚度渐变的场氧的制造方法和SGT器件的制造方法

权利要求书

1.一种沟槽内厚度渐变的场氧的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；

步骤二、采用热氧化工艺在所述沟槽的内侧表面形成场氧，所述场氧还延伸到所述沟槽外的表面上；

步骤三、采用淀积工艺形成第二氧化层，所述第二氧化层形成于所述场氧表面上；所述第二氧化层和所述场氧都是相同材料的氧化层，淀积形成的所述第二氧化层的致密性比热氧形成所述场氧的致密性差，致密性差异使所述第二氧化层的湿法刻蚀速率大于所述场氧的湿法刻蚀速率；

步骤四、采用第三材料层填充完全填充所述沟槽，所述第三材料层和所述场氧的材料不同；所述第三材料层同时延伸到所述沟槽外的所述第二氧化层表面；

步骤五、将所述沟槽外的所述第二氧化层表面的所述第三材料层去除；所述沟槽内的所述第三材料层的顶部表面等于或低于所述沟槽外的所述第二氧化层表面；

步骤六、以所述第三材料层为自对准掩膜进行氧化层的湿法刻蚀，利用第二氧化层的湿法刻蚀速率大于所述场氧的湿法刻蚀速率的特点，在所述湿法刻蚀中沿所述第二氧化层一侧的所述场氧会加速刻蚀；

所述湿法刻蚀完成后从上往下所述场氧会形成厚度逐渐增加的结构；

步骤七、去除所述第三材料层。

2.如权利要求1所述的沟槽内厚度渐变的场氧的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。

3.如权利要求2所述的沟槽内厚度渐变的场氧的制造方法，其特征在于：所述场氧和所述第二氧化层都为二氧化硅。

4.如权利要求3所述的沟槽内厚度渐变的场氧的制造方法，其特征在于：步骤三中，采用CVD沉积工艺形成所述第二氧化层。

5.如权利要求3所述的沟槽内厚度渐变的场氧的制造方法，其特征在于：步骤四中所述第三材料层为Barc层。

6.如权利要求5所述的沟槽内厚度渐变的场氧的制造方法，其特征在于：步骤四中采用涂布工艺将所述第三材料层填充到所述沟槽中。

7.如权利要求5所述的沟槽内厚度渐变的场氧的制造方法，其特征在于：步骤五中采用干法刻蚀工艺将所述沟槽外的所述第二氧化层表面的所述第三材料层去除；

所述第二氧化层的厚度为所述第二氧化层在步骤六的所述湿法刻蚀中被去除。

8.一种SGT器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；所述沟槽包括多个，为SGT器件的栅极沟槽；

步骤二、采用热氧化工艺在所述沟槽的内侧表面形成场氧，所述场氧还延伸到所述沟槽外的表面上；

步骤三、采用淀积工艺形成第二氧化层，所述第二氧化层形成于所述场氧表面上；所述第二氧化层和所述场氧都是相同材料的氧化层，淀积形成的所述第二氧化层的致密性比热氧形成所述场氧的致密性差，致密性差异使所述第二氧化层的湿法刻蚀速率大于所述场氧的湿法刻蚀速率；

步骤四、采用第三材料层填充完全填充所述沟槽，所述第三材料层和所述场氧的材料不同；所述第三材料层同时延伸到所述沟槽外的所述第二氧化层表面；

步骤五、将所述沟槽外的所述第二氧化层表面的所述第三材料层去除；所述沟槽内的所述第三材料层的顶部表面等于或低于所述沟槽外的所述第二氧化层表面；

步骤六、以所述第三材料层为自对准掩膜进行氧化层的湿法刻蚀，利用第二氧化层的湿法刻蚀速率大于所述场氧的湿法刻蚀速率的特点，在所述湿法刻蚀中沿所述第二氧化层一侧的所述场氧会加速刻蚀；

所述湿法刻蚀完成后从上往下所述场氧会形成厚度逐渐增加的结构；

步骤七、去除所述第三材料层。