[发明专利]闪存器件的制造方法

摘要

本申请公开了一种闪存器件的制造方法，包括：提供一衬底，衬底上依次形成有栅氧化层、浮栅多晶硅层、隔离层以及控制栅，控制栅的顶端形成有硅氮化物层，硅氮化物层和控制栅的周侧形成有侧墙，侧墙包括硅氧化物层，侧墙之间的浮栅多晶硅层上覆盖有硅氧化物层；通过ICP刻蚀设备对硅氧化物层进行刻蚀，使侧墙之间的浮栅多晶硅层暴露；通过ICP刻蚀设备对侧墙之间的浮栅多晶硅层进行刻蚀，直至侧墙之间的栅氧化层暴露，形成浮栅。本申请通过ICP刻蚀设备对闪存器件的硅氧化物层和浮栅多晶硅层进行刻蚀，降低了闪存器件的制造工艺的复杂度。