[发明专利]闪存器件的制造方法

权利要求书

1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上依次形成有栅氧化层、浮栅多晶硅层、隔离层以及控制栅，所述控制栅的顶端形成有硅氮化物层，所述硅氮化物层和所述控制栅的周侧形成有侧墙，所述侧墙包括硅氧化物层，所述侧墙内形成有硅氮化物隔离层，所述侧墙之间的浮栅多晶硅层上覆盖有硅氧化物层；

通过ICP刻蚀设备对所述硅氧化物层进行刻蚀，使所述侧墙之间的浮栅多晶硅层暴露，通过调节刻蚀过程中的参数调节在所述侧墙上堆积的反应副产物；

通过所述ICP刻蚀设备对所述侧墙之间的浮栅多晶硅层进行刻蚀，直至所述侧墙之间的栅氧化层暴露，形成浮栅，通过调节刻蚀过程中的参数使刻蚀多晶硅的速率大于刻蚀硅氧化物的速率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过调节刻蚀过程中的参数调节在所述侧墙上堆积的反应副产物，包括：

通过调节刻蚀过程中的偏压功率、源功率、反应气体流速和气压中的至少一种调节在所述侧墙上堆积的反应副产物。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述偏压功率的取值范围为50瓦至100瓦。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述源功率的取值范围为500瓦至800瓦。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述反应气体流速的取值范围为50SCCM至100SCCM。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述反应气体包括四氟化碳。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述气压的取值范围为5毫托至15毫托。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过调节刻蚀过程中的参数使刻蚀多晶硅的速率大于刻蚀硅氧化物的速率，包括：

通过调节刻蚀过程中的偏压功率、源功率、反应气体的流速和气压中的至少一种使刻蚀所述多晶硅的速率大于刻蚀所述硅氧化物的速率。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述偏压功率的取值范围为50瓦至100瓦。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述源功率的取值范围为300瓦至500瓦。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述反应气体包括氢溴酸、氦气和氧气。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述氢溴酸的流速的取值范围为100SCCM至300SCCM。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述氦气的流速的取值范围为100SCCM至300SCCM。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述氧气的流速的取值范围为5SCCM至10SCCM。

15.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述气压的取值范围为20毫托至50毫托。

16.根据权利要求1至15任一所述的方法，其特征在于，所述反应副产物包括聚合物，所述通过所述ICP刻蚀设备中对所述控制栅之间的浮栅多晶硅层进行刻蚀之后，还包括：

刻蚀去除所述聚合物；

对刻蚀过程中的光阻进行湿法剥离；

分别量测所述浮栅之间的宽度、刻蚀的浮栅多晶硅层的厚度以及剩余的硅氮化物层的厚度。

17.根据权利要求1至15任一所述的方法，其特征在于，所述隔离层包括ONO层。