[发明专利]NMOS器件的制作方法及以其制作的半导体器件在审
| 申请号： | 201911373468.4 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111129156A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 任小兵;熊伟;陈华伦;钱文生;胡君 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及NMOS器件的制作方法及以其制作的半导体器件，涉及半导体集成电路制造工艺，在NMOS器件的制作过程中，通过在多晶硅沉积之后，在多晶硅层顶部形成一层锗非晶层，可减小N型轻掺杂源漏注入工艺对多晶硅层的注入深度，因此可提高N型轻掺杂源漏注入工艺的能量到达到有效改善HCI效应的目的的范围内，而有效改善HCI效应，提高NMOS器件的性能，且其仅需要在对NMOS器件的栅极结构图形区域内的多晶硅层进行磷离子注入工艺之后，增加一道Ge注入即可，除此不增加任何步骤，且其与磷离子注入工艺共用一块掩膜版，生产成本增加极少。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 器件 制作方法 以其 制作 半导体器件 | ||
【主权项】：
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