[发明专利]NMOS器件的制作方法及以其制作的半导体器件

权利要求书

1.一种NMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

S1：提供衬底，在所述衬底上包括由隔离工艺形成的隔离区和位于隔离区之间有的有源区，在有源区内定义P阱区域；

S2：在所述P阱区域上形成薄栅氧化层，并在薄栅氧化层上形成多晶硅层；

S3：通过光刻曝光工艺定义出NMOS器件的栅极结构图形区域，并对NMOS器件的栅极结构图形区域内的多晶硅层进行磷离子注入工艺，然后对NMOS器件的栅极结构图形区域内的多晶硅层进行锗离子注入工艺，以在NMOS器件的栅极结构图形区域内的多晶硅层的顶部形成一层非晶层；

S4：在多晶硅层上形成多晶硅栅掩膜层、抗反射层以及光刻胶层，然后进行光刻刻蚀工艺形成栅极结构，并进行快速热氧化反应，其中栅极结构的顶部包括步骤S3形成的非晶层；

S5：进行光刻曝光工艺定义N型轻掺杂源漏注入区域，并进行N型轻掺杂源漏注入工艺；以及

S6：进行源漏离子注入工艺形成NMOS器件。

2.根据权利要求1所述的NMOS器件的制作方法，其特征在于，所述衬底为Si衬底。

3.根据权利要求1所述的NMOS器件的制作方法，其特征在于，所述隔离工艺为浅沟槽隔离工艺。

4.根据权利要求1所述的NMOS器件的制作方法，其特征在于，所述薄栅氧化层的厚度在50埃米至200埃米之间。

5.根据权利要求1所述的NMOS器件的制作方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为1000埃米。

6.根据权利要求1所述的NMOS器件的制作方法，其特征在于，所述NMOS器件的制作方法用于工作电压Vdd大于2.5V的NMOS器件的制作过程中。

7.根据权利要求6所述的NMOS器件的制作方法，其特征在于，所述NMOS器件的制作方法用于工作电压Vdd为5V的NMOS器件的制作过程中。

8.根据权利要求1所述的NMOS器件的制作方法，其特征在于，所述NMOS器件的制作方法用于0.13um以下工艺。

9.一种NMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

S1：提供衬底，在所述衬底上包括由隔离工艺形成的隔离区和位于隔离区之间有的有源区，在有源区内定义P阱区域和N阱区域；

S2：在所述衬底上形成薄栅氧化层，并在薄栅氧化层上形成多晶硅层；

S3：进行锗离子注入工艺，以在多晶硅层的顶部形成一层非晶层；

S4：在多晶硅层上形成多晶硅栅掩膜层、抗反射层以及光刻胶层，然后进行光刻刻蚀工艺形成栅极结构，并进行快速热氧化反应，其中栅极结构的顶部包括步骤S3形成的非晶层；

S5：进行光刻曝光工艺定义轻掺杂源漏注入区域，并进行轻掺杂源漏注入工艺；以及

S6：进行源漏离子注入工艺形成NMOS器件和PMOS器件。

10.根据权利要求9所述的NMOS器件的制作方法，其特征在于，步骤S3还包括在步骤S2之后通过光刻曝光工艺定义出NMOS器件的栅极结构图形区域，然后进行锗离子注入工艺，锗离子注入工艺为对NMOS器件的栅极结构图形区域内的多晶硅层进行离子注入的工艺，以在NMOS器件的栅极结构图形区域内的多晶硅层的顶部形成一层非晶层。

11.根据权利要求9所述的NMOS器件的制作方法，其特征在于，所述NMOS器件的制作方法用于0.13um以上工艺。

12.根据权利要求9所述的NMOS器件的制作方法，其特征在于，所述NMOS器件的制作方法用于工作电压Vdd大于2.5V的NMOS器件的制作过程中。

13.根据权利要求12所述的NMOS器件的制作方法，其特征在于，所述NMOS器件的制作方法用于工作电压Vdd为5V的NMOS器件的制作过程中。