[发明专利]半导体工艺炉的电极机构和半导体工艺炉有效
申请号: | 201911368034.5 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111058016B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 闫志顺;赵福平;郑建宇 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;C23C16/458 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体工艺炉的电极机构和半导体工艺炉,半导体工艺炉的电极机构包括连接板、第一电极组件、第二电极组件、第一传导座、第二传导座和悬臂组件,其中,连接板与半导体工艺炉的炉门连接;悬臂组件穿过连接板及炉门向半导体工艺炉炉体的方向延伸;第一传导座、第二传导座设置在悬臂组件上,分别与半导体工艺炉的晶舟的两个端部可分离的电连接;第一电极组件穿设于悬臂组件内部,与第一传导座电连接;第二电极组组件穿过连接板及炉门与第二传导座电连接。本发明提供的半导体工艺炉的电极机构和半导体工艺炉,能够改善工艺结果,减少工艺时间,增加设备产能,降低加工成本。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工艺 电极 机构 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的