[发明专利]半导体工艺炉的电极机构和半导体工艺炉有效
| 申请号: | 201911368034.5 | 申请日: | 2019-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN111058016B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
| 发明(设计)人: | 闫志顺;赵福平;郑建宇 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 工艺 电极 机构 | ||
1.一种半导体工艺炉的电极机构,其特征在于,包括:连接板、第一电极组件、第二电极组件、第一传导座、第二传导座和悬臂组件,其中,
所述连接板与所述半导体工艺炉的炉门连接;
所述悬臂组件穿过所述连接板及所述炉门向所述半导体工艺炉炉体的方向延伸;所述悬臂组件通过推送组件与所述半导体工艺炉体连接,所述推送组件用于驱动所述悬臂组件相对于所述半导体工艺炉体移动;
所述第一传导座、第二传导座设置在所述悬臂组件上,分别与所述半导体工艺炉的晶舟的两个端部可分离的电连接;
所述第一电极组件穿设于所述悬臂组件内部,与所述第一传导座电连接;
所述第二电极组件穿过所述连接板及所述炉门与所述第二传导座电连接;
所述悬臂组件包括悬臂管、支撑管、第一绝缘套筒、第二绝缘套筒、固定套筒,其中,
所述悬臂管穿过所述连接板及所述炉门,所述支撑管与所述悬臂管轴向连接,并向所述炉体的方向延伸,所述第一电极组件穿设于所述悬臂管及所述支撑管中;
所述固定套筒套设于所述悬臂管与所述支撑管的连接处;
所述第一传导座设置在所述支撑管上,所述第一绝缘套筒套设于所述支撑管与所述第一传导座对应的部分处;
所述第二传导座设置在所述支撑管上,所述第二绝缘套筒套设于所述支撑管与所述第二传导座对应的部分处;
所述悬臂组件还包括第一绝缘密封部件,设置在所述悬臂管未与所述支撑管连接的一端处,所述第一电极组件穿过所述第一绝缘密封部件伸入所述悬臂管内,所述第一绝缘密封部件与所述悬臂管及所述第一电极组件密封连接;
所述第一绝缘密封部件包括:绝缘套、绝缘法兰座、第一密封圈、第二密封圈和连接环体,其中,
所述绝缘法兰座设置于所述悬臂管未与所述支撑管连接的一端处,所述绝缘法兰座包括主体部和卡台部,所述主体部伸入所述悬臂管中,所述卡台部卡设在所述悬臂管的端口处,避免所述第一电极组件所携带的电流,经所述悬臂管的端口处爬电至所述悬臂管上;
所述绝缘套设置在所述绝缘法兰座远离所述悬臂管的一端处,并抵靠所述绝缘法兰座,所述绝缘套外侧壁上设置有第一卡台;
所述第一密封圈设置在所述绝缘套与所述绝缘法兰座之间,所述第二密封圈设置在所述绝缘法兰座与悬臂管之间;
所述连接环体套设在所述绝缘套及所述卡台部的外侧,其内侧壁上设置有与所述第一卡台配合的第二卡台,所述连接环体与所述悬臂管连接,以压紧所述绝缘套、所述绝缘法兰座、所述第一密封圈及所述第二密封圈;
所述第一电极组件穿过所述绝缘套、所述绝缘法兰座伸入所述悬臂管内。
2.根据权利要求1所述的电极机构,其特征在于,所述悬臂组件还包括:第一绝缘挡环,设置在所述连接环体远离所述悬臂管的一端处。
3.根据权利要求1-2任一项所述的电极机构,其特征在于,第一电极组件包括第一电极杆、套设于所述第一电极杆上的第一绝缘套管,其中,
所述第一电极杆包括第一杆段和第二杆段,所述第一绝缘套管包括第一管段和第二管段,所述第一管段套设在所述第一杆段上,所述第二管段套设在所述第二杆段上;所述第一杆段和第二杆段互相连接;所述第一管段上设置有插入部,所述第二管段部分插入所述插入部,或者,所述第二管段上设置有插入部,所述第一管段部分插入所述插入部;
所述第一电极组件还包括锁紧件,套设于所述插入部外侧,用于锁紧所述第一管段和所述第二管段的连接处。
4.根据权利要求1-2任一项所述的电极机构,其特征在于,第二电极组件包括第二电极杆、套设于所述第二电极杆上的第二绝缘套管。
5.根据权利要求1-2任一项所述的电极机构,其特征在于,还包括:电极连接板,设置在所述第一传导座远离所述炉门的一侧,所述第一电极组件通过所述电极连接板与所述第一传导座电连接。
6.根据权利要求1-2任一项所述的电极机构,其特征在于,还包括:限位件,所述第一绝缘套筒、所述第二绝缘套筒上均设置所述限位件,所述限位件用于定位所述第一绝缘套筒、所述第二绝缘套筒,进而定位所述第一传导座和所述第二传导座。
7.一种半导体工艺炉,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的电极机构。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





