[发明专利]半导体工艺炉的电极机构和半导体工艺炉

说明书

本发明提供一种半导体工艺炉的电极机构和半导体工艺炉，半导体工艺炉的电极机构包括连接板、第一电极组件、第二电极组件、第一传导座、第二传导座和悬臂组件，其中，连接板与半导体工艺炉的炉门连接；悬臂组件穿过连接板及炉门向半导体工艺炉炉体的方向延伸；第一传导座、第二传导座设置在悬臂组件上，分别与半导体工艺炉的晶舟的两个端部可分离的电连接；第一电极组件穿设于悬臂组件内部，与第一传导座电连接；第二电极组组件穿过连接板及炉门与第二传导座电连接。本发明提供的半导体工艺炉的电极机构和半导体工艺炉，能够改善工艺结果，减少工艺时间，增加设备产能，降低加工成本。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种半导体工艺炉的电极机构和半导体工艺炉。

背景技术

在晶硅电池的实际生产过程中，减反射膜和/或钝化膜的制备普遍采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)来实现。在未来相当长的一段时间内，PECVD凭借其长久积累的工艺经验和较为优异的镀膜性能，管式PECVD仍将为整个晶硅太阳电池产业提供重要的保障。而射频系统是管式PECVD的重要组成部分，其放电方式对硅片的工艺结果起到至关重要的影响。

目前，晶舟被推送装置送至炉内的反应室，并置于连接射频电极的位置，射频电极从炉尾处对插晶舟尾部上的电极孔，在射频电极与电极孔对插完成后，推送装置推送晶舟缓慢下降，并继续缓慢前进进入炉门，并直至悬臂门与炉口处法兰密封良好。放电方式为射频正负电极同时在晶舟尾部放电，电流在晶舟的硅片间从后向前传递。工艺结束后，将射频电极从晶舟尾部上的电极孔拔下，再将晶舟移出反应室。

但是，由于射频电极对插在晶舟的尾部，电流从晶舟的尾部流向头部，这就造成晶舟中的硅片均匀性较差，钝化效果较差。并且，由于射频电极对插在晶舟上，当推送装置推送晶舟缓慢下降时，晶舟会下压电极，容易造成电极和晶舟之间对插不好，电极头出现烧毁的情况。并且，每次工艺进行装取晶舟时，都需要插拔电极，这会影响晶舟和电极的使用寿命，不利于工艺重复性，还会使得工艺时间较长，设备产能较低，加工成本较高。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺炉的电极机构和半导体工艺炉，其能够改善工艺结果，减少工艺时间，增加设备产能，降低加工成本。

本发明提供了一种半导体工艺炉的电极机构，包括：连接板、第一电极组件、第二电极组件、第一传导座、第二传导座和悬臂组件，其中，

所述连接板与所述半导体工艺炉的炉门连接；

所述悬臂组件穿过所述连接板及所述炉门向所述半导体工艺炉炉体的方向延伸；

所述第一传导座、第二传导座设置在所述悬臂组件上，分别与所述半导体工艺炉的晶舟的两个端部可分离的电连接；

所述第一电极组件穿设于所述悬臂组件内部，与所述第一传导座电连接；

所述第二电极组件穿过所述连接板及所述炉门与所述第二传导座电连接。

优选的，所述悬臂组件包括悬臂管、支撑管、第一绝缘套筒、第二绝缘套筒、固定套筒，其中，

所述悬臂管穿过所述连接板及所述炉门，所述支撑管与所述悬臂管轴向连接，并向所述炉体的方向延伸，所述第一电极组件穿设于所述悬臂管及所述支撑管中；

所述固定套筒套设于所述悬臂管与所述支撑管的连接处；

所述第一传导座设置在所述支撑管上，所述第一绝缘套筒套设于所述支撑管与所述第一传导座对应的部分处；

所述第二传导座设置在所述支撑管上，所述第二绝缘套筒套设于所述支撑管与所述第二传导座对应的部分处。