[发明专利]半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法在审

专利信息
申请号: 201911364910.7 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN111880375A 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 裵根熙;朴珍洪;许晋硕;李昇玟;林宣泽 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘美华;韩芳
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法。所述系统可以包括:腔室;极紫外光(EUV)源,位于腔室中,并且被构造为产生EUV束;光学系统,位于EUV源上,并且被构造为将EUV束提供到基底;基底台,位于腔室中,并且被构造为容纳基底;标线台,位于腔室中,被构造为保持标线,标线被构造为使EUV束投射到基底上;以及颗粒收集器,位于标线与光学系统之间,并且被构造为允许EUV束的选择性透射并去除颗粒。
搜索关键词: 半导体器件 制造 系统 使用 方法
【主权项】:
暂无信息
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