[发明专利]半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的系统，所述系统包括：

腔室；

极紫外光源，位于腔室中，并且被构造为产生极紫外光束；

光学系统，位于极紫外光源上，并且被构造为将极紫外光束提供到基底；

基底台，位于腔室中，并且被构造为容纳基底；

标线台，位于腔室中，被构造为保持标线，标线被构造为使极紫外光束投射到基底上；以及

颗粒收集器，位于标线与光学系统之间，并且被构造为允许极紫外光束的选择性透射并从标线或从与标线相邻的区域去除颗粒。

2.根据权利要求1所述的系统，其中，颗粒收集器包括旋转盘斩波器。

3.根据权利要求2所述的系统，其中，颗粒收集器包括对于极紫外光束的透射区域和阻挡区域。

4.根据权利要求3所述的系统，其中，极紫外光束的强度具有第一脉冲，并且

透射区域被构造为被旋转以具有第二脉冲，第二脉冲具有与第一脉冲的第一周期相同的第二周期。

5.根据权利要求1所述的系统，所述系统还包括位于标线与光学系统之间的遮蔽叶片，

其中，颗粒收集器位于遮蔽叶片与光学系统之间。

6.根据权利要求5所述的系统，其中，光学系统包括：

面镜，位于极紫外光源与标线之间，并且被构造为反射极紫外光束；以及

掠射镜，位于面镜与标线之间，并且被构造为将极紫外光束反射朝向标线，

其中，颗粒收集器位于遮蔽叶片与掠射镜之间。

7.根据权利要求5所述的系统，其中，颗粒收集器连接或紧固到遮蔽叶片的底表面。

8.根据权利要求5所述的系统，其中，颗粒收集器包括：

地电极；以及

偏置电极，与地电极间隔开，并且被构造为利用偏置电压在遮蔽叶片之间感生电场。

9.根据权利要求8所述的系统，其中，极紫外光束的强度具有第一脉冲，并且

偏置电压具有第三脉冲，第三脉冲具有与第一脉冲的第一周期相同的第三周期，并具有与第一脉冲的第一相位相反的第三相位。

10.根据权利要求8所述的系统，其中，遮蔽叶片包括：第一遮蔽叶片和第二遮蔽叶片，在第一方向上彼此面对并间隔开；以及第三遮蔽叶片和第四遮蔽叶片，在与第一方向垂直的第二方向上彼此面对并间隔开，

地电极包括位于第二遮蔽叶片上的第一地电极以及位于第四遮蔽叶片上的第二地电极，并且

偏置电极包括位于第一遮蔽叶片上的第一偏置电极以及位于第三遮蔽叶片上的第二偏置电极。

11.根据权利要求5所述的系统，其中，遮蔽叶片被构造为被电力地充电有偏置电压。

12.根据权利要求5所述的系统，所述系统还包括：流体喷嘴，位于遮蔽叶片与标线台之间，并且被构造为将流体提供到标线与遮蔽叶片之间的区域中，

其中，流体喷嘴被构造为被电力地充电有偏置电压。

13.一种用于制造半导体器件的系统，所述系统包括：

腔室；

极紫外光源，位于腔室中，并且被构造为产生极紫外光束；

光学系统，位于极紫外光源上，并且被构造为将极紫外光束提供到基底；

基底台，位于腔室中，并且被构造为容纳基底；

标线台，位于腔室中，被构造为保持标线，标线被构造为使极紫外光束投射到基底上；

标线卡盘，位于标线台上，并且被构造为使用静电电压来保持标线；以及

遮蔽叶片，位于标线与光学系统之间，

其中，遮蔽叶片被构造为被充电有与静电电压不同的偏置电压。