[发明专利]半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法

说明书

公开了半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法。所述系统可以包括：腔室；极紫外光(EUV)源，位于腔室中，并且被构造为产生EUV束；光学系统，位于EUV源上，并且被构造为将EUV束提供到基底；基底台，位于腔室中，并且被构造为容纳基底；标线台，位于腔室中，被构造为保持标线，标线被构造为使EUV束投射到基底上；以及颗粒收集器，位于标线与光学系统之间，并且被构造为允许EUV束的选择性透射并去除颗粒。

本申请要求于2019年5月2日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0051676号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的内容在此通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体器件的制造系统以及一种使用该制造系统制造半导体器件的方法，具体地，涉及一种EUV曝光系统以及一种使用该曝光系统制造半导体器件的方法。

背景技术

随着信息技术的发展，已经积极地进行了高度集成的半导体器件的研究和开发。半导体器件的集成密度强烈依赖于光刻工艺中使用的光源的波长。可以使用诸如I线、G线、KrF准分子和ArF准分子的激光束或者波长比准分子激光短的极紫外光(EUV)束作为光源。EUV束具有远高于准分子激光的能量。因此，EUV束的使用会导致标线(reticle)上的颗粒污染问题。为了防止光刻工艺中发生故障，应该用另一标线替换污染的标线。

发明内容

发明构思的实施例提供了一种半导体制造系统，以及一种使用该系统制造半导体器件的方法，该半导体制造系统被构造为抑制或防止颗粒污染问题。

根据发明构思的实施例，用于制造半导体器件的系统可以包括：腔室；极紫外光(EUV)源，位于腔室中，并且被构造为产生EUV束；光学系统，位于EUV源上，并且被构造为将EUV束提供到基底；基底台，位于腔室中，并且被构造为容纳基底；标线台，位于腔室中，被构造为保持标线，标线被构造为使EUV束投射到基底上；以及颗粒收集器，位于标线与光学系统之间，并且被构造为允许EUV束的选择性透射并去除颗粒。

根据发明构思的实施例，用于制造半导体器件的系统可以包括：腔室；EUV源，位于腔室中，并且被构造为产生EUV束；光学系统，位于EUV源上，并且被构造为将EUV束提供到基底；基底台，位于腔室中，并且被构造为容纳基底；标线台，位于腔室中，被构造为保持标线，标线被构造为使EUV束投射到基底上；标线卡盘，位于标线台上，并且被构造为使用静电电压来保持标线；以及遮蔽叶片，位于标线与光学系统之间。遮蔽叶片可以被构造为被充电有与静电电压不同的偏置电压。

根据发明构思的实施例，制造半导体器件的方法可以包括：将静电电压施加到曝光系统的标线卡盘；产生包括具有第一脉冲的强度的EUV束；将EUV束提供到标线；同步于第一脉冲而阻挡颗粒；将偏置电压施加到曝光系统的遮蔽叶片以对遮蔽叶片充电；以及将EUV束提供到基底。

附图说明

通过下面结合附图进行的简要描述，将更清楚地理解示例实施例。附图表示如这里描述的非限制性的示例实施例。

图1是示例性地示出根据发明构思的实施例的用于制造半导体器件的系统的示例的图。

图2是示出图1的EUV束的强度的第一脉冲的曲线图。

图3是示出图1的部分A的放大的视图。

图4是示出图3的颗粒收集器的示例的平面图。

图5是示出与图4的阻挡区域和透射区域的旋转周期对应的第二脉冲的曲线图。

图6是示出图1的颗粒收集器的另一示例的图。

图7是示出根据示例实施例的图6的遮蔽叶片、偏置电极和地电极的平面图。

图8是示出图6的第一偏置电压的第三脉冲的曲线图。