[发明专利]防硫化片式厚膜固定电阻器的制作方法在审

专利信息
申请号: 201911359825.1 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN111128499A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 刘宏;屈海琼 申请(专利权)人: 株洲宏达电通科技有限公司
主分类号: H01C17/00 分类号: H01C17/00;H01C17/02;H01C17/242
代理公司: 湖南省娄底市兴娄专利事务所(普通合伙) 43106 代理人: 邬松生
地址: 412007 *** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明提供的防硫化片式厚膜固定电阻器的制作方法,它包括有以下步骤:按照常规片式厚膜固定电阻器的生产工艺完成产品的调阻工序的加工;再经过掩膜印刷、镍铬合金的溅射、老化、二次玻璃和标记印刷、固化,一次分割、封端、二次分割、表面处理加工即成。本发明针对空气中的硫化气体对面电极中的银产生硫化的问题,片式厚膜固定电阻器在调阻之后,在银钯面电极上用磁控溅射技术溅射上一层镍铬合金膜,从而达到片式厚膜固定电阻器防硫化的作用,提高了产品的性能可靠性以及使用寿命。
搜索关键词: 硫化 片式厚膜 固定 电阻器 制作方法
【主权项】:
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