[发明专利]防硫化片式厚膜固定电阻器的制作方法在审

专利信息
申请号: 201911359825.1 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN111128499A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 刘宏;屈海琼 申请(专利权)人: 株洲宏达电通科技有限公司
主分类号: H01C17/00 分类号: H01C17/00;H01C17/02;H01C17/242
代理公司: 湖南省娄底市兴娄专利事务所(普通合伙) 43106 代理人: 邬松生
地址: 412007 *** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 硫化 片式厚膜 固定 电阻器 制作方法
【权利要求书】:

1.防硫化片式厚膜固定电阻器的制作方法,其特征在于:它包括有以下步骤:

a.按照常规片式厚膜固定电阻器的生产工艺完成产品的调阻工序的加工;

b.掩膜印刷,选用合适掩膜浆料,采用丝网印刷技术在已经调阻完成的半成品上印刷一层掩膜,将不需要溅射的部分都掩盖住,只留出面电极银层;

c.镍铬合金的溅射,将印刷好掩膜的半成品放进磁控溅射机中,进行溅射,溅射后用超声波将掩膜清洗干净并烘干,在银电极表面形成镍铬合金膜,再进行老化,使镍铬合金膜稳定;

d. 后工序制作,将老化后的产品依次进行二次玻璃和标记印刷、固化,一次分割、封端、二次分割、表面处理、即成。

2.根据权利要求1所述的防硫化片式厚膜固定电阻器的制作方法,其特征在于:a步骤的调阻工序具体加工过程为:产品在调阻机工作台上,用探卡对产品阻值测量后,用激光对产品进行切割,使产品阻值不断升高,直至产品阻值达到要求范围内。

3.根据权利要求1所述的防硫化片式厚膜固定电阻器的制作方法,其特征在于:b步骤的采用I-9760玻璃浆料作为掩膜浆料,浆料主要成分为玻璃粉、树脂载体和溶剂。

4.根据权利要求1所述的防硫化片式厚膜固定电阻器的制作方法,其特征在于:c步骤的溅射工艺参数为:溅射时间20分钟,溅射电流3A,工作真空为0.4到0.7Pa,老化时间为1-3小时,老化温度为300℃到350℃。

5.根据权利要求1所述的防硫化片式厚膜固定电阻器的制作方法,其特征在于:d步骤的二次玻璃和标记印刷:印刷压力2.5±1Kg,脱网高度:0.75±0.2mm,印刷速度:90±30mm/S;

二次玻璃和标记固化:固化温度200±10℃,固化时间30min;

一次分割:压力0.1到0.5MPa,电机转速为5到40

封端:溅射时间15min,溅射电流3A,工作真空0.4到0.7Pa;

二次分割:压力0.1到0.5MPa,电机转速为5到40转/ min;

表面处理:镀镍时间100min,镀锡时间60min,镀镍电流22到30A,镀锡电流7到13A。

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