[发明专利]防硫化片式厚膜固定电阻器的制作方法在审

专利信息
申请号: 201911359825.1 申请日: 2019-12-25
公开(公告)号: CN111128499A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 刘宏;屈海琼 申请(专利权)人: 株洲宏达电通科技有限公司
主分类号: H01C17/00 分类号: H01C17/00;H01C17/02;H01C17/242
代理公司: 湖南省娄底市兴娄专利事务所(普通合伙) 43106 代理人: 邬松生
地址: 412007 *** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 硫化 片式厚膜 固定 电阻器 制作方法
【说明书】:

本发明提供的防硫化片式厚膜固定电阻器的制作方法,它包括有以下步骤:按照常规片式厚膜固定电阻器的生产工艺完成产品的调阻工序的加工;再经过掩膜印刷、镍铬合金的溅射、老化、二次玻璃和标记印刷、固化,一次分割、封端、二次分割、表面处理加工即成。本发明针对空气中的硫化气体对面电极中的银产生硫化的问题,片式厚膜固定电阻器在调阻之后,在银钯面电极上用磁控溅射技术溅射上一层镍铬合金膜,从而达到片式厚膜固定电阻器防硫化的作用,提高了产品的性能可靠性以及使用寿命。

技术领域

本发明专利涉及一种电子元器件,尤其是指一种防硫化片式厚膜固定电阻器的制作方法。

背景技术

目前,随着电子技术及军用电子元器件的发展,以及现代武器装备小型化、轻型化和高性能化的需要,对电子元器件的性能可靠性提出了更高的要求,片式厚膜固定电阻器作为重要的基础电子元件,广泛应用于移动通讯、笔记本电脑、掌上电脑、计算机、汽车电子等小型整机电子设备的表面贴装,同时也在航空、航天、卫星、导弹、海(地)缆、通信等军用电子整机的线路中广泛使用。

现有片式厚膜固定电阻器面电极一般是银钯合金的,普通厚膜片式电阻器面电极含钯量为0.5%左右,根据片式厚膜固定电阻器的结构,面电极是连接电阻体和焊接端头用的内部电极。由于二次保护层和焊接端头之间有微量的缝隙,当空气中含有大量硫化气体时,硫化气体会沿着缝隙与内电极接触,银被硫化反应成硫化银。由于硫化银不导电,所以随着电极被硫化,电阻值逐渐增大,直至最终成为开路,导致电阻器失效。在实际工作中,并非只有用在化工厂的电阻会被硫化,在矿业、火力发电厂中的电阻同样存在被硫化的危险,甚至在某些场合仅仅因为在封闭环境中使用了含硫的橡胶、油也会导致在高温下释放的硫导致电阻硫化,因此汽车电子中也逐渐开始重视电阻的防硫化。

防硫化电阻为了避免内电极硫化,一般情况下,厚膜片式电阻器防硫化是从两个方面进行的,一是通过改善二次保护包覆层设计,让底层电极覆盖上二次保护,并达到一定尺寸,在电镀时,Ni层和Sn-Pb层均能容易地覆盖上二次保护层,这样可以减少二次保护层和焊接端头之间有微量的缝隙,避免硫化气体的侵入,提高了产品的防硫化能力;二是从材料角度出发,提高面电极Ag/Pd浆料中钯的含量,把钯的含量从通常的0.5%提高到5%以上,由于浆料中钯含量的提高,钯的稳定性提高了电阻抗硫化能力。第一种方法仅仅是减少了二次保护层与面电极之间的缝隙,只是减慢了硫化的速度,不能完全做到防硫化;第二种方法由于在面电极浆料中增加了贵金属钯的含量,使片式电阻器的材料成本增加很多。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有抗硫化能力强,制造成本低的新型可以防硫化的片式固定电阻器及其制作方法。

为实现上述目的,本发明所提供的技术方案为:防硫化片式厚膜固定电阻器的制作方法,它包括有以下步骤:

a.按照常规片式厚膜固定电阻器的生产工艺完成产品的调阻工序的加工;

b.掩膜印刷,选用合适掩膜浆料,采用丝网印刷技术在已经调阻完成的半成品上印刷一层掩膜,将不需要溅射的部分都掩盖住,只留出面电极银层;

c.镍铬合金的溅射,将印刷好掩膜的半成品放进磁控溅射机中,进行溅射,溅射后用超声波将掩膜清洗干净并烘干,在银电极表面形成镍铬合金膜,再进行老化,使镍铬合金膜稳定;

d. 后工序制作,将老化后的产品继续按照原有的片式厚膜固定电阻器加工工艺依次进行二次玻璃和标记印刷、固化,一次分割、封端、二次分割、表面处理等后工序的加工即成。

a步骤的调阻工序具体加工过程为:产品在调阻机工作台上,用探卡对产品阻值测量后,用激光对产品进行切割,使产品阻值不断升高,直至产品阻值达到要求范围内。

b步骤的采用I-9760玻璃浆料作为掩膜浆料,浆料主要成分为玻璃粉、树脂载体和溶剂。

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