[发明专利]一种半导体硅片耐磨处理工艺在审
申请号: | 201911351772.9 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN111041540A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 董玲玲;牛建新 | 申请(专利权)人: | 托伦斯半导体设备启东有限公司 |
主分类号: | C25D11/32 | 分类号: | C25D11/32;C25D7/12;C25D3/04;C25D5/48 |
代理公司: | 苏州衡创知识产权代理事务所(普通合伙) 32329 | 代理人: | 仲昌民 |
地址: | 226000 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体硅片耐磨处理工艺,包括以下步骤:S1、抛光处理,分次对零件表面进行抛光处理;S2、脱脂清洗;S3、上挂,将零件支撑到挂具上;S4、遮蔽;S5、阳极腐蚀;S6、镀铬;S7、脱脂清洗;S8、除氢处理,采取HA油除氢处理,并经过750h的盐雾试验也没有观察到腐蚀现象,即获得半导体硅片。采用本发明的工艺在零件表面镀铬,增加零件表面的光洁度、防腐蚀性能和耐磨性,工艺简单,操作方便,效果佳。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 硅片 耐磨 处理 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
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