[发明专利]一种半导体硅片耐磨处理工艺

权利要求书

1.一种半导体硅片耐磨处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、抛光处理，分次对零件表面进行抛光处理，去除瑕疵，使得零件表面的粗糙度在Ra1.6以下；

S2、脱脂清洗，首先将零件浸泡入含有5-10％碱性脱脂剂的清洗液中，清洗液温度40-50℃，浸泡时间5-10min；然后取出零件并对零件表面依次进行喷淋、超声清洗、水清洗、烘干；

S3、上挂，将零件支撑到挂具上；

S4、遮蔽，在无尘室中对不需要镀层的零件表面进行遮蔽；

S5、阳极腐蚀，铬酐浓度是120～350g/l，硫酸是10g/l，温度是40-55℃，电流是25-35A/dm²；

S6、镀铬，在镀铬液不改变的情况下，在1h内将槽液温度从65-75℃降至40-55℃，时间是80～100min，电流从25-35A/dm²升高至40-60A/dm²，采用逐渐增大电流大小阶梯式的给电方式，待镀层厚度达到所需要求时，出槽；

S7、脱脂清洗，首先将零件浸泡入含有5-10％碱性脱脂剂的清洗液中，清洗液温度40-50℃，浸泡时间5-10min；然后取出零件并对零件表面依次进行喷淋、超声清洗、水清洗、烘干；

S8、除氢处理，采取HA油除氢处理，并经过750h的盐雾试验也没有观察到腐蚀现象，即获得半导体硅片。

2.根据权利要求1所述的半导体硅片耐磨处理工艺，其特征在于，步骤S1中分次对零件表面进行抛光处理，按照#240、#320、#400砂纸的次序对零件表面进行抛光处理。

3.根据权利要求1所述的半导体硅片耐磨处理工艺，其特征在于，在步骤S2和步骤S7中，喷淋时间是30-60s，喷淋压力是40-60psi；超声波清洗时间是30-60s；水清洗温度是40-45℃，水清洗时间是5-8min；烘干温度是115-125℃，烘干时间为0.5-1h。

4.根据权利要求1所述的半导体硅片耐磨处理工艺，其特征在于，步骤S6中镀铬液的成分包括：浓度是230-260gr/1的铬酸、浓度是2.3-2.6gr/l的H₂SO₄、浓度在4gr/l以下的FeCu。