[发明专利]一种半导体硅片耐磨处理工艺

说明书

本发明公开了一种半导体硅片耐磨处理工艺，包括以下步骤：S1、抛光处理，分次对零件表面进行抛光处理；S2、脱脂清洗；S3、上挂，将零件支撑到挂具上；S4、遮蔽；S5、阳极腐蚀；S6、镀铬；S7、脱脂清洗；S8、除氢处理，采取HA油除氢处理，并经过750h的盐雾试验也没有观察到腐蚀现象，即获得半导体硅片。采用本发明的工艺在零件表面镀铬，增加零件表面的光洁度、防腐蚀性能和耐磨性，工艺简单，操作方便，效果佳。

技术领域

本发明属于材料处理技术领域，具体涉及一种半导体硅片耐磨处理工艺。

背景技术

半导体硅片研磨机零件多数由不锈钢加工而成，而这种零件的表面硬度达到700HV以上才可以在该设备上承受受磨损的工作环境。

因此，亟需一种半导体硅片耐磨处理工艺。

发明内容

是解决现有技术存在的缺陷，本发明提供一种半导体硅片耐磨处理工艺。

是了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：

本发明提供一种半导体硅片耐磨处理工艺，包括以下步骤：

S1、抛光处理，分次对零件表面进行抛光处理，去除瑕疵，使得零件表面的粗糙度在Ra1.6以下；

S2、脱脂清洗，首先将零件浸泡入含有5-10％碱性脱脂剂的清洗液中，清洗液温度40-50℃，浸泡时间5-10min；然后取出零件并对零件表面依次进行喷淋、超声清洗、水清洗、烘干；

S3、上挂，将零件支撑到挂具上；

S4、遮蔽，在无尘室中对不需要镀层的零件表面进行遮蔽；

S5、阳极腐蚀，铬酐浓度是120～350g/l，硫酸是10g/1，温度是40-55℃，电流是25-35A/dm²；

S6、镀铬，在镀铬液不改变的情况下，在1h内将槽液温度从65-75℃降至40-55℃，时间是80～100min，电流从25-35A/dm²升高至40-60A/dm²，采用逐渐增大电流大小阶梯式的给电方式，待镀层厚度达到所需要求时，出槽；

S7、脱脂清洗，首先将零件浸泡入含有5-10％碱性脱脂剂的清洗液中，清洗液温度40-50℃，浸泡时间5-10min；然后取出零件并对零件表面依次进行喷淋、超声清洗、水清洗、烘干；

S8、除氢处理，采取HA油除氢处理，并经过750h的盐雾试验也没有观察到腐蚀现象，即获得半导体硅片。

作是本发明的一种优选技术方案，步骤S1中分次对零件表面进行抛光处理，按照#240、#320、#400砂纸的次序对零件表面进行抛光处理。

作是本发明的一种优选技术方案，在步骤S2和步骤S7中，喷淋时间是30-60s，喷淋压力是40-60psi；超声波清洗时间是30-60s；水清洗温度是40-45℃，水清洗时间是5-8min；烘干温度是115-125℃，烘干时间为0.5-1h。

作是本发明的一种优选技术方案，步骤S6中镀铬液的成分包括：浓度是230-260gr/l的铬酸、浓度是2.3-2.6gr/1的H₂SO₄、浓度在4gr/l以下的FeCu。。

本发明的有益效果是：采用本发明的工艺在零件表面镀铬，增加零件表面的光洁度、防腐蚀性能和耐磨性，工艺简单，操作方便，效果佳。

具体实施方式

以下对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。