[发明专利]功率端子、功率模块封装结构及封装方法有效
| 申请号： | 201911337841.0 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111162051B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 戴小平;齐放;李道会;李想;吴义伯;王彦刚 | 申请（专利权）人： | 湖南国芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L23/49;H01L23/60;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率端子、功率模块封装结构及封装方法，涉及功率模块领域，其用于实现应用电路的低电感设计。发明的功率端子，包括输出端子和输入端子，输入端子包括层叠设置的正极端子和负极端子，正极端子和负极端子相互平行且具有相同的宽度。通过将正极端子和负极端子层叠设置，使二者尽量平行对称，从而在功率器件环流中，正负功率端子之间会形成大小相同、方向相反的电流，磁场相消，从而降低回路的杂散电感。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 端子 模块 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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