[发明专利]基于催化氮化法的Si@SiC-Si3

摘要

本发明涉及一种基于催化氮化法的Si@SiC‑Si3N4电极材料及其制备方法。其技术方案是：将5～25质量份的催化剂溶于1000质量份的无水乙醇中，磁力搅拌15～20min，加入100质量份的硅粉，磁力搅拌15～20min，加入12.5～20质量份的液体酚醛树脂，磁力搅拌25～30min，于90～110℃条件下干燥24～30h，得到负载催化剂的前驱体；然后在氮气气氛条件下，以4～5℃/min的速率将所述负载催化剂的前驱体升温至1250～1350℃，保温2～3h，再以2～3℃/min的速率升温至1400～1450℃，保温3～4h，自然冷却，制得基于催化氮化法的Si@SiC‑Si3N4电极材料。本发明成本低和生产工艺简单，所制制品形貌特征优良，不仅具有赝电容特征，且电容量和高倍率性能优异。