[发明专利]基于催化氮化法的Si@SiC-Si3

权利要求书

1.一种基于催化氮化法的Si@SiC-Si₃N₄电极材料的制备方法，其特征在于所述制备方法是：

步骤一、先将5～25质量份的催化剂溶于1000质量份的无水乙醇中，磁力搅拌15～20min，再加入100质量份的硅粉，磁力搅拌15～20min，然后加入12.5～20质量份的液体酚醛树脂，磁力搅拌25～30min，最后在90～110℃条件下干燥24～30h，得到负载催化剂的前驱体；

步骤二、在氮气气氛条件下，先以4～5℃/min的速率将所述负载催化剂的前驱体升温至1250～1350℃，保温2～3h；再以2～3℃/min的速率升温至1400～1450℃，保温3～4h，自然冷却，制得基于催化氮化法的Si@SiC-Si₃N₄电极材料。

2.根据权利要求1所述基于催化氮化法的Si@SiC-Si₃N₄电极材料的制备方法，其特征在于所述硅粉的纯度≥99.9％；所述硅粉的粒度为10～70μm。

3.根据权利要求1所述基于催化氮化法的Si@SiC-Si₃N₄电极材料的制备方法，其特征在于所述液体酚醛树脂的固含量为80.55wt％。

4.根据权利要求1所述基于催化氮化法的Si@SiC-Si₃N₄电极材料的制备方法，其特征在于所述催化剂为九水硝酸铁、六水硝酸镍和六水硝酸钴中的一种；所述九水硝酸铁的纯度≥98.5％，所述六水硝酸镍的纯度≥98.0％，所述六水硝酸钴的纯度≥98.5％。

5.一种基于催化氮化法的Si@SiC-Si₃N₄电极材料，其特征在于所述基于催化氮化法的Si@SiC-Si₃N₄电极材料是根据权利要求 1～4项中任一项所述基于催化氮化法的Si@SiC-Si₃N₄电极材料的制备方法所制备的基于催化氮化法的Si@SiC-Si₃N₄电极材料。