[发明专利]涉及使用牺牲材料形成电容器柱的方法、设备及系统在审
| 申请号： | 201911328983.0 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111490158A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | D·D·史莱伦;D·T·N·陈;S·萨普雷 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述与使用牺牲材料形成电容器柱相关的方法、设备及系统。一种实例方法包含图案化半导体衬底的表面以具有：所述衬底上方的第一硅酸盐材料；所述第一硅酸盐材料上方的第一氮化物材料；所述第一氮化物材料上方的牺牲材料；所述牺牲材料上方的第二硅酸盐材料；及所述第二硅酸盐材料上方的第二氮化物材料。所述方法进一步包含在穿过所述第一硅酸盐材料、所述第一氮化物材料、所述牺牲材料、所述第二硅酸盐材料及所述第二氮化物材料的开口中形成电容器材料柱。所述方法进一步包含移除所述牺牲材料。 | ||
| 搜索关键词： | 涉及 使用 牺牲 材料 形成 电容器 方法 设备 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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