[发明专利]涉及使用牺牲材料形成电容器柱的方法、设备及系统在审
| 申请号： | 201911328983.0 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111490158A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | D·D·史莱伦;D·T·N·陈;S·萨普雷 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 涉及 使用 牺牲 材料 形成 电容器 方法 设备 系统 | ||
1.一种方法，其包括：
图案化半导体衬底(101；201；301；401；501；601；701)的表面(110；210；310；410；510；610；710)以具有：
所述衬底(101；201；301；401；501；601；701)上方的第一硅酸盐材料(103；203；603；703)；
所述第一硅酸盐材料(103；203；603；703)上方的第一氮化物材料(105；205；305；405；505；605；705)；
所述第一氮化物材料(105；205；305；405；505；605；705)上方的牺牲材料(106；206；706)；
所述牺牲材料(106；206；706)上方的第二硅酸盐材料(108；208；608；708)；及
所述第二硅酸盐材料(108；208；608；708)上方的第二氮化物材料(112；212；312；412；512；612；712)；
在穿过所述第一硅酸盐材料(103；203；603；703)、所述第一氮化物材料(105；205；305；405；505；605；705)、所述牺牲材料(106；206；706)、所述第二硅酸盐材料(108；208；608；708)及所述第二氮化物材料(112；212；312；412；512；612；712)的开口(311；411；511)中形成电容器材料(316；416；516)柱；及
移除所述牺牲材料(106；206；706)。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括所述第一硅酸盐材料(103)、所述第一氮化物材料(105)、所述牺牲材料(106)、所述第二硅酸盐材料(108)及所述第二氮化物材料(112)的组合形成到大于10,000埃的高度(122)，其中所述第一硅酸盐材料、所述第一氮化物材料、所述牺牲材料及所述第二硅酸盐材料包括大于10,000埃的所述高度的至多9,000埃。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括所述第一硅酸盐材料(103)的高度(124-1)在4,000埃与6,000埃之间，所述第一氮化物材料(105)及所述牺牲材料(106)的高度(124-2)各自在100埃与1,000埃之间，所述第二硅酸盐材料(108)的高度(124-4)在2,000埃与6,000埃之间，且所述第二氮化物材料(112)中的每一者的高度(124-7)在100埃与1,500埃之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述第二硅酸盐材料与所述第二氮化物材料之间形成额外牺牲材料。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述第一硅酸盐材料与所述第二硅酸盐材料之间形成所述第一氮化物材料及所述牺牲材料。
6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括所述牺牲材料(106)是硅酸盐材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911328983.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高模量阻燃增强尼龙复合材料及其制备方法
- 下一篇：内燃机的冷却装置
