[发明专利]硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅用添加剂、去绕镀方法及改善N型电池良率的方法有效
| 申请号： | 201911328351.4 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN113013029B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 张临安;邓伟伟 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18;C09G1/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅用添加剂、去绕镀方法及改善N型电池良率的方法。所述添加剂的主要成分包括：消泡剂3wt％‑8wt％，表面活性剂5wt％‑13wt％，分散剂2wt％‑7wt％，缓释剂1wt％‑5wt％，功能性助剂5wt％‑14wt％，山梨酸钾1wt％‑4wt％。所述去绕镀方法包括：采用包含碱和所述添加剂的去绕镀试剂，利用湿化学方法，对绕镀多晶硅或非晶硅的硅太阳能电池片进行去绕镀反应。本发明提供的添加剂适用于硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅过程，该添加剂可以在碱液去绕镀多晶硅或非晶硅的过程中起到保护氧化硅的目的，保护硅太阳能电池片的正面和/或背面不被破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 去绕镀 多晶 非晶硅用 添加剂 方法 改善 电池 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司，未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911328351.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
