[发明专利]硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅用添加剂、去绕镀方法及改善N型电池良率的方法

说明书

本发明公开了硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅用添加剂、去绕镀方法及改善N型电池良率的方法。所述添加剂的主要成分包括：消泡剂3wt％‑8wt％，表面活性剂5wt％‑13wt％，分散剂2wt％‑7wt％，缓释剂1wt％‑5wt％，功能性助剂5wt％‑14wt％，山梨酸钾1wt％‑4wt％。所述去绕镀方法包括：采用包含碱和所述添加剂的去绕镀试剂，利用湿化学方法，对绕镀多晶硅或非晶硅的硅太阳能电池片进行去绕镀反应。本发明提供的添加剂适用于硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅过程，该添加剂可以在碱液去绕镀多晶硅或非晶硅的过程中起到保护氧化硅的目的，保护硅太阳能电池片的正面和/或背面不被破坏。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，涉及一种硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅用添加剂、去绕镀方法及改善N型电池良率的方法。

背景技术

随着太阳能光伏发电的发展及应用，围绕着光伏电池材料转化效率和稳定性的研究日趋成熟，硅太阳能电池的研究重点是提高电池效率以及降低电池制作成本。例如，N型钝化接触电池在背面采用掺杂的多晶硅或者非晶硅来实现背面钝化，降低背面复合，提高电池效率。目前，大多采用管式设备(如LPCVD设备)来完成背面多晶硅或者非晶硅的沉积。然而，使用管式设备在背面沉积多晶硅或者非晶硅时不可避免的会在正面产生绕镀，正面绕镀的多晶硅或者非晶硅对电池非常不利，需要在后续工序中进行去处。

常规工艺中采用湿法工艺来去除正面绕镀的多晶硅或者非晶硅，一般利用碱液(氢氧化钾或者氢氧化钠)或者TMAH来腐蚀掉正面绕镀的多晶硅或者非晶硅。然而，利用碱液(氢氧化钾或者氢氧化钠)或者TMAH来腐蚀掉正面绕镀的多晶硅或者非晶硅的同时会腐蚀正面及背面绒面，造成正面或者背面色差，严重时会破坏PN结，且TMAH有毒，安全性较差。

CN 109585597 A公开了一种改善管式晶硅太阳能PERC电池正面绕镀的方法，包括S1：在硅片镀背面钝化膜的工序中，于硅片背面依次镀Al₂O₃膜、SiO₂膜和SiN_x膜，形成背面钝化膜，同时，在硅片正面边沿形成绕镀膜；S2：在由步骤S1所得产品的背面钝化膜表面上制作水膜；S3：使由步骤S2所得的产品通过HF/HCl槽，去除绕镀膜；S4：使由步骤S3所得的产品通过水槽，去除残余药液；S5：干燥由步骤S4所得的产品，即成。该方法改善了管式晶硅太阳能PERC电池正面绕镀现象，改善了电池的外观，提高了光电转换效率，但是，此种去绕镀的方式只能局限于链式设备。并且，链式设备的清洗效果不好，不足以达到N型高效电池对清洗的要求。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，本发明的目的在于提供一种硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅用添加剂、去绕镀方法及改善N型电池良率的方法。

为达上述目的，本发明采用以下技术方案：

第一方面，本发明提供一种硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅用添加剂，所述添加剂的主要成分包括：消泡剂3wt％-8wt％，表面活性剂5wt％-13wt％，分散剂2wt％-7wt％，缓释剂1wt％-5wt％，功能性助剂5wt％-14wt％，山梨酸钾1wt％-4wt％。

本发明的添加剂中，各组分的百分含量之和为100wt％。