[发明专利]硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅用添加剂、去绕镀方法及改善N型电池良率的方法

权利要求书

1.一种硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅用添加剂，其特征在于，所述添加剂的主要成分包括：消泡剂3wt％-8wt％，表面活性剂5wt％-13wt％，分散剂2wt％-7wt％，缓释剂1wt％-5wt％，功能性助剂5wt％-14wt％，山梨酸钾1wt％-4wt％。

2.根据权利要求1所述的添加剂，其特征在于，所述添加剂中包含水51wt％-83wt％。

3.根据权利要求1所述的添加剂，其特征在于，所述消泡剂包括聚醚改性硅油或聚硅氧烷中的任意一种或两种的混合物。

4.根据权利要求3所述的添加剂，其特征在于，所述消泡剂为聚二甲基硅氧烷。

5.根据权利要求1所述的添加剂，其特征在于，所述表面活性剂包括烷基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、丙二醇嵌段聚醚或全氟烷基季胺碘化物中的任意一种或至少两种的混合物。

6.根据权利要求1所述的添加剂，其特征在于，所述分散剂包括聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯或聚丙烯酸钠中的任意一种或至少两种的混合物。

7.根据权利要求1所述的添加剂，其特征在于，所述缓释剂包括乙酸钠或十二烷基苯硫酸钠中的任意一种或两种的混合物。

8.根据权利要求1所述的添加剂，其特征在于，所述功能性助剂包括丙酮、异丙醇铝、过氧化叔丁醇、亚磷酸酯或环氧化物中的至少两种的混合物。

9.一种硅太阳能电池去绕镀多晶硅或非晶硅的方法，其特征在于，所述方法采用去绕镀试剂，利用湿化学方法，对绕镀多晶硅或非晶硅的硅太阳能电池片进行去绕镀反应，所述去绕镀试剂中包含碱和权利要求1-8任一项所述的添加剂。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述碱包括氢氧化钾、氢氧化钠或TMAH中的任意一种或至少两种的混合物。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述去绕镀试剂包含：碱1.5wt％-8wt％，添加剂1wt％-3wt％，其余为水。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述去绕镀试剂中，碱和添加剂的质量比为(6-3):1。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述湿化学方法包括：将硅太阳能电池片绕镀多晶硅或非晶硅的表面与去绕镀试剂反应。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述反应的温度为50℃-90℃。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述反应的时间为40s-300s。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述湿化学方法还包括在硅太阳能电池片与去绕镀试剂反应之前，先使用添加剂的水溶液对硅太阳能电池片进行预清洗，所述添加剂的水溶液的组成为：0.5wt％-2wt％添加剂，余量为水。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述预清洗的温度为20℃-60℃。

18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述预清洗的时间为90s-300s。

19.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述湿化学方法包括：

(1)对硅太阳能电池片绕镀多晶硅或非晶硅的表面进行预清洗，然后与去绕镀试剂反应；

(2)再依次进行水洗、HF清洗以及RAC清洗。