[发明专利]一种CdS/Si纳米薄膜异质结的制备方法有效
| 申请号： | 201911325196.0 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN110965025B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 姬鹏飞;李勇;宋月丽;周丰群;袁书卿;田明丽 | 申请（专利权）人： | 平顶山学院 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人： | 石丹丹 |
| 地址： | 467000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种CdS/Si纳米薄膜异质结的制备方法，该方法首先以ITO导电薄膜为衬底，利用磁控溅射技术在ITO导电薄膜上沉积Si，制备纳米结构ITO/Si；然后利用磁控溅射技术在纳米结构ITO/Si上沉积CdS，制备纳米结构ITO/Si/CdS；最后利用磁控溅射技术在纳米结构ITO/Si/CdS上沉积Ag，制备纳米ITO/Si/CdS/Ag异质结。本发明简单、高效，易于调控异质结各组分的结构和尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cds si 纳米 薄膜 异质结 制备 方法 | ||
【主权项】：
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