[发明专利]一种CdS/Si纳米薄膜异质结的制备方法

权利要求书

1.一种CdS/Si纳米薄膜异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，以ITO导电薄膜为衬底，利用磁控溅射技术在ITO导电薄膜上沉积Si，制备纳米结构ITO/Si；具体过程如下：

步骤101，将ITO导电薄膜固定在磁控溅射室的样品支架上，对磁控溅射室抽真空到10^-6Pa，然后向磁控溅射室充入氩气，保持磁控溅射室真空度为10^-1Pa～50Pa；

步骤102，调整Si靶材和ITO导电薄膜的距离为5cm，设置溅射功率为30W～120W；

步骤103，预溅射60s，打开Si靶材的挡板，开始溅射，溅射时间180s～1200s，制备纳米结构ITO/Si；

步骤104，溅射时间到后，关闭溅射电源，打开加热电源，20～50min将ITO/Si样品加热到300℃，在1Pa压强下保持50min；

步骤2，利用磁控溅射技术在纳米结构ITO/Si上沉积CdS，制备纳米结构ITO/Si/CdS；具体过程如下：

步骤201，保持磁控溅射室内压强1Pa，将Si靶材换成CdS靶材，设置溅射功率为60W；

步骤202，打开CdS靶材的挡板，开始溅射，溅射时间60～1800s，制备纳米结构ITO/Si/CdS；

步骤203，溅射时间到后，关闭溅射电源；

步骤3，利用磁控溅射技术在纳米结构ITO/Si/CdS上沉积Ag，制备纳米ITO/Si/CdS/Ag异质结，具体过程如下：

步骤301，保持磁控溅射室内压强1Pa，将CdS靶材换成Ag靶材，设置溅射功率为30W；

步骤302，打开Ag靶材的挡板，开始溅射，溅射时间60s，制备Ag电极；

步骤303，溅射时间到后，关闭所有电源，将ITO/Si/CdS/Ag样品自然冷却至室温。

2.根据权利要求1所述的CdS/Si纳米薄膜异质结的制备方法，其特征在于，步骤103中溅射时间180s～1200s，在ITO导电薄膜上沉积Si的厚度为300nm～2μm。

3.根据权利要求1所述的CdS/Si纳米薄膜异质结的制备方法，其特征在于，步骤202中溅射时间60～1800s，在ITO/Si上沉积CdS的厚度为120nm～3.6μm。