[发明专利]扇出型三维封装结构的制备方法及扇出型三维封装结构在审
| 申请号： | 201911323128.0 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111029260A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡琨辰;刘春平;崔锐斌 | 申请（专利权）人： | 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/52;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/485;H01L23/498;H01L23/49 |
| 代理公司： | 广州鼎贤知识产权代理有限公司 44502 | 代理人： | 刘莉梅 |
| 地址： | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种扇出型三维封装结构及其制备方法，该制备方法包括：提供埋入材料，在埋入材料上开设第一通孔和第二通孔，然后贴到第一承载胶上；提供第一芯片，将第一芯片贴装于第一通孔内，并在第二通孔内植入导电柱；采用塑封料于埋入材料靠近第一芯片的正面的一侧进行塑封，形成第一塑封层；拆除第一承载胶，翻转第一塑封层并固定；提供第二芯片，将第二芯片贴装于第一芯片的背面，采用引线连接第二芯片的I/O接口和导电柱；采用塑封料于埋入材料远离第一塑封层的一侧进行塑封，形成第二塑封层；在第一塑封层上制作种子层和重布线层，并在重布线层的焊盘区植入金属凸块。本发明有效降低了扇出型三维封装结构的封装高度和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型 三维 封装 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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