[发明专利]扇出型三维封装结构的制备方法及扇出型三维封装结构

权利要求书

1.一种扇出型三维封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供埋入材料，在所述埋入材料上开设沿厚度方向贯穿所述埋入材料的第一通孔和第二通孔，并在所述埋入材料沿其厚度方向的一侧贴上第一承载胶；

S2、提供第一芯片，将所述第一芯片贴装于所述第一通孔内，并在所述第二通孔内植入导电柱；

S3、采用塑封料于所述埋入材料靠近所述第一芯片的正面的一侧进行塑封，形成覆盖所述埋入材料、所述第一芯片以及所述导电柱的第一塑封层；

S4、拆除所述第一承载胶并翻转所述第一塑封层，然后将翻转的所述第一塑封层固定；

S5、提供第二芯片，将所述第二芯片贴装于所述第一芯片的背面，并使所述第二芯片的正面朝向远离所述第一芯片的一侧，采用引线连接所述第二芯片的I/O接口和所述导电柱；

S6、采用塑封料于所述埋入材料远离所述第一塑封层的一侧进行塑封，形成覆盖所述埋入材料、所述第二芯片以及所述引线的第二塑封层；

S7、在所述第一塑封层上制作种子层和重布线层，并在所述重布线层的焊盘区植入金属凸块。

2.根据权利要求2所述的扇出型三维封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述第一芯片为减薄后的芯片，其背面具有双面粘结胶带，塑封形成所述第一塑封层后拆除所述第一承载胶，然后将步骤S5中的所述第二芯片通过所述双面粘结胶带贴于所述第一芯片的背面。

3.根据权利要求1所述的扇出型三维封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S7具体包括以下步骤：

S71、采用钻孔设备在所述第一塑封层上对应所述第一芯片的I/O接口的位置和所述导电柱的位置分别开设盲孔，使所述第一芯片的I/O接口和所述导电柱外露；

S72、采用真空溅射处理，在所述第一塑封层远离所述第二塑封层的一侧以及所述盲孔内形成种子层；

S73、在所述种子层上制作重布线层；

S74、在所述重布线层和外露于所述种子层和所述重布线层的所述第一塑封层的表面贴上介电层，对所述介电层进行开孔处理，使所述重布线层的焊盘区外露；

S75、提供金属凸块，将所述金属凸块焊接植入所述重布线层的焊盘区。

4.根据权利要求3所述的扇出型三维封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S73具体包括：于所述第一塑封层上依次进行电镀、贴干膜、曝光、显影、闪蚀处理，制得所述重布线层。

5.一种采用权利要求1至4任一项所述的制备方法制得的扇出型三维封装结构，其特征在于，包括：

埋入材料，所述埋入材料上间隔开设有沿所述埋入材料的厚度方向贯穿所述埋入材料的第一通孔和第二通孔；

第一塑封层、位于所述第一通孔内的第一芯片以及位于所述第二通孔内的导电柱，所述第一芯片和所述导电柱封装于所述第一塑封层内，且所述第一芯片的正面朝向所述第一塑封层；

位于所述埋入材料一侧的第二塑封层和第二芯片，所述第二芯片的背面通过双面粘结胶带与所述第一芯片的背面粘结，所述第二芯片的I/O接口通过引线与所述导电柱连接，所述第二芯片封装于所述第二塑封层内；

金属凸块，所述金属凸块通过电连接结构与所述第一芯片的I/O接口和所述导电柱连接。

6.根据权利要求5所述的扇出型三维封装结构，其特征在于，所述第一塑封层上开设有分别供所述第一芯片的I/O接口和所述导电柱的一端外露的盲孔，所述电连接结构包括位于所述盲孔内和所述第一塑封层上的种子层和位于所述种子层上的重布线层，所述金属凸块与所述重布线层的焊盘区焊接。

7.根据权利要求6所述的扇出型三维封装结构，其特征在于，所述种子层和所述重布线层具有使部分所述第一塑封层外露的图形化孔；

还包括介电层，所述介电层贴于所述重布线层的非焊盘区和所述图形化孔内。

8.根据权利要求5所述的扇出型三维封装结构，其特征在于，所述导电柱为Cu、Ag或Au材质中的任一种。