[发明专利]一种多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准电路和方法有效
| 申请号： | 201911319476.0 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN110993010B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 王小光;马泽希 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/02 | 分类号： | G11C29/02;G11C29/50;G11C11/4076;G11C11/4093 |
| 代理公司： | 西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙) 61226 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 710075 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准电路和方法，该方法包括：在对DRAM芯片上电初始化时，使用交叠的方法来对DRAM芯片内部多个颗粒进行依次校准；在芯片正常工作期间，采用多颗粒交替进行校准，使得每个颗粒均能够被校准。该方法即保证了芯片内各颗粒内部电阻在上电后拥有一次完整的校准机会，具备了比较准确的电阻值，也避免了提高校准电路工作频率引入的额外功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 颗粒 封装 dram 芯片 zq 校准 电路 方法 | ||
【主权项】：
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