[发明专利]一种多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准电路和方法

权利要求书

1.一种多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，初始化校准：上电初始化阶段所有颗粒通过交叠的方式进行ZQ校准操作；

步骤S2，工作期间校准：正常工作阶段所有颗粒通过交替的方式进行ZQ校准操作；

其中，所述步骤S2，工作期间校准为：正常工作阶段以交替的方式依次产生各颗粒的ZQ使能信号，使DRAM芯片内部ZQ校准按照交替的方式，对每个颗粒进行依次轮询使能。

2.根据权利要求1所述的多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准方法，其特征在于，

所述步骤S1完成后通过ZQ使能信号的选择和切换进行步骤S2。

3.根据权利要求1所述的多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准方法，其特征在于，

所述步骤S1，初始化校准为：上电初始化阶段以交叠的方式依次输出各颗粒对应的ZQ使能信号，使DRAM芯片内部ZQ校准按照交叠的方式进行并完成。

4.根据权利要求1所述的多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准方法，其特征在于，所述对每个颗粒进行依次轮询使能为：在每次外部发起ZQCMD校准指令时，芯片内部只有一个颗粒做ZQ校准工作，并且在每个ZQCMD校准指令下，依次在各颗粒之间轮询的进行校准工作。

5.根据权利要求1-4任一所述的多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准方法，其特征在于，所述各颗粒之间轮询的方式为依次顺序进行或随机进行。

6.根据权利要求5所述的多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准方法，其特征在于，所述多颗粒封装DRAM芯片中包括2个或4个颗粒。

7.一种多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准电路，其特征在于，包括：初始化ZQ检测模块：用于检测DRAM芯片上电后的初始化阶段，并以交叠的方式依次产生各颗粒的ZQ使能信号，DRAM芯片内部ZQ校准工作则按照交叠的方式进行并完成；

多颗粒ZQ选择模块：用于交替性的产生各颗粒的ZQ使能信号，使DRAM芯片内部ZQ校准按照交叠的方式，对每个颗粒进行依次轮询使能；

ZQ校准切换模块：用于在多颗粒封装DRAM芯片初始化阶段和正常工作过程中进行选择和切换ZQ使能信号。

8.根据权利要求7所述的多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准电路，其特征在于，所述的初始化ZQ检测模块，包括：

初始化ZQ使能模块：用于检测DRAM芯片上电后的初始化阶段的操作指令，当检测到第一次操作指令时，产生初始化ZQ信号，初始化ZQ信号将使能ZQ控制模块；

ZQ控制模块：用于以交叠的方式依次输出各颗粒的ZQ使能信号；各颗粒的ZQ使能信号分别传输到DRAM芯片的内部多个颗粒中的ZQ校准电路，内部ZQ校准工作则按照交叠的方式进行。

9.根据权利要求8所述的多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准电路，其特征在于，所述的多颗粒ZQ选择模块，包括：

锁存模块：用于当每次操作指令输入时，产生ZQ选择信号，ZQ选择信号会反复的在模块内部使能0、使能1之间翻转；

颗粒识别模块：用于根据ZQ选择信号和每个颗粒的选择信号，输出用于使能各颗粒ZQ功能的信号，交替的切换使能信号，每次只使能其中一个信号，使得工作过程中每次校准过程只有一个颗粒工作。