[发明专利]掩膜版图形的修正方法、掩膜版和半导体结构的形成方法

摘要

一种掩膜版图形的修正方法、掩膜版和半导体结构的形成方法，包括：提供第一掩膜版图形，所述第一掩膜版图形包括若干第一目标图形，若干所述第一目标图形沿第一方向排列；获取相邻的两个所述第一目标图形在所述第一方向上的间距值；根据所述间距值对沿所述第一方向上相邻的两个所述第一目标图形进行一次或多次的间距调整处理，直至所述间距值大于或等于间距阈值为止。本发明的技术方案中，通过将相邻的所述第一目标图形沿第一方向进行间距调整处理，以此增大相邻的所述第一目标图形的间距，使得相邻的所述第一目标图形能够满足光刻工艺的需求，避免了采用多次图形化工艺，节约了制作成本，同时也提升了制作效率。