[发明专利]掩膜版图形的修正方法、掩膜版和半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种掩膜版图形的修正方法，其特征在于，包括：

提供第一掩膜版图形，所述第一掩膜版图形包括若干第一目标图形，若干所述第一目标图形沿第一方向排列；

获取相邻的两个所述第一目标图形在所述第一方向上的间距值；

根据所述间距值对沿所述第一方向上相邻的两个所述第一目标图形进行一次或多次的间距调整处理，直至所述间距值大于或等于间距阈值为止；其中，所述第一目标图形的数量为N个，且若干所述第一目标图形沿第一方向以1～N的序号标示，N为自然数，且N≥2；第i个第一目标图形为基准，i为自然数，且1≤i≤N；所述间距值包括第一间距值或第二间距值；所述第一间距值为第i+x+1个第一目标图形与第i+x个第一目标图形之间的间距值，x为自然数，且x≥0；所述第二间距值为所述第i-(y-1)个第一目标图形与第i-y个第一目标图形之间的间距值，y为自然数，且y≥1；根据所述第一间距值，对相邻的第i+x个第一目标图形与第i+x+1个第一目标图形进行一次或多次间距调整处理的方法包括：对比所述第一间距值与所述间距阈值；当所述第一间距值小于所述间距阈值时，将第i+x+1个第一目标图形沿所述第一方向上进行一次或多次第一间距尺寸的平移，直至所述第一间距值大于或等于所述间距阈值；

将第i+x+1个第一目标图形沿所述第一方向上进行第一间距尺寸的平移的方法包括：将第i+x+1个第一目标图形沿第三方向分割为若干第一图形段，所述第三方向与第i+x+1个第一目标图形的延伸方向相同，且所述第三方向与所述第一方向垂直；将若干所述第一图形段沿所述第三方向以1～M的序号标示，M为自然数，且M≥1；当第j个第一图形段与第i+x个第一目标图形之间的第一间距值小于所述间距阈值时，将第j个第一图形段沿所述第一方向进行第一间距尺寸的平移。

2.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，根据所述第二间距值，对相邻的第i-y个第一目标图形与第i-(y-1)个第一目标图形进行一次或多次间距调整处理的方法包括：对比所述第二间距值与所述间距阈值；当所述第二间距值小于所述间距阈值时，将第i-y个第一目标图形沿第二方向上进行一次或多次第二间距尺寸的平移，所述第二方向与所述第一方向相反，直至所述第二间距值大于或等于所述间距阈值。

3.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述第一间距尺寸的范围为3纳米～5纳米。

4.如权利要求2所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述第二间距尺寸的范围为3纳米～5纳米。

5.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，将第i-y个第一目标图形沿第二方向上进行第二间距尺寸的平移的方法包括：将第i-y个第一目标图形沿第三方向分割为若干第二图形段，所述第三方向与第i-y个第一目标图形的延伸方向相同，且所述第三方向与所述第一方向垂直；将若干所述第二图形段沿所述第三方向以1～H的序号标示，H为自然数，且H≥1；当第k个第二图形段与第i-(y-1)个第一目标图形之间的第二间距值小于所述间距阈值时，将第k个第二图形段沿所述第二方向进行第二间距尺寸的平移。

6.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，还包括：提供第二掩膜版图形，所述第二掩膜版图形包括若干与所述第一目标图形重叠的第二目标图形；获取所述第二目标图形与对应的所述第一目标图形的重叠面积；根据所述重叠面积对所述第二目标图形进行一次或多次的重叠调整处理，直至所述重叠面积等于重叠阈值为止。

7.如权利要求6所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述第二目标图形的数量为S个，且若干所述第二目标图形沿第一方向以1～S的序号标示，S为自然数，且S≥1；第t个第二目标图形为基准，t为自然数，且1≤t≤S；所述重叠面积包括第一重叠面积与第二重叠面积；所述第一重叠面积为第t+p个第二目标图形与对应的第i+x个第一目标图形之间的重叠面积，p为自然数，且p≥0；所述第二重叠面积为所述第t-q个第二目标图形与第i-y个第一目标图形之间的重叠面积，q为自然数，且q≥0。