[发明专利]掩膜版图形的修正方法、掩膜版和半导体结构的形成方法

说明书

一种掩膜版图形的修正方法、掩膜版和半导体结构的形成方法，包括：提供第一掩膜版图形，所述第一掩膜版图形包括若干第一目标图形，若干所述第一目标图形沿第一方向排列；获取相邻的两个所述第一目标图形在所述第一方向上的间距值；根据所述间距值对沿所述第一方向上相邻的两个所述第一目标图形进行一次或多次的间距调整处理，直至所述间距值大于或等于间距阈值为止。本发明的技术方案中，通过将相邻的所述第一目标图形沿第一方向进行间距调整处理，以此增大相邻的所述第一目标图形的间距，使得相邻的所述第一目标图形能够满足光刻工艺的需求，避免了采用多次图形化工艺，节约了制作成本，同时也提升了制作效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩膜版图形的修正方法、掩膜版和半导体结构的形成方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图形案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的光刻图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。亚分辨率辅助图形(Sub-Resolution Assist Features)、光学临近修正(Optical ProximityCorrection，简称OPC)、反向光刻(Inverse Lithography Technology，简称ILT)、双重图形(Double Patterning)、自对准双重图形(Self-aligned Double Patterning)等技术手段均被用来提高光刻分辨率。

然而，现有技术中形成半导体结构的制程仍有待改善。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种掩膜版图形的修正方法、掩膜版和半导体结构的形成方法，避免了采用多次图形化工艺，节约了制作成本，同时也提升了制作效率。

为解决上述问题，本发明提供一种掩膜版图形的修正方法，包括：提供第一掩膜版图形，所述第一掩膜版图形包括若干第一目标图形，若干所述第一目标图形沿第一方向排列；获取相邻的两个所述第一目标图形在所述第一方向上的间距值；根据所述间距值对沿所述第一方向上相邻的两个所述第一目标图形进行一次或多次的间距调整处理，直至所述间距值大于或等于间距阈值为止。

可选的，所述第一目标图形的数量为N个，且若干所述第一目标图形沿第一方向以1～N的序号标示，N为自然数，且N≥2；第i个第一目标图形为基准，i为自然数，且1≤i≤N；所述间距值包括第一间距值或第二间距值；所述第一间距值为第i+x+1个第一目标图形与第i+x个第一目标图形之间的间距值，x为自然数，且x≥0；所述第二间距值为所述第i-(y-1)个第一目标图形与第i-y个第一目标图形之间的间距值，y为自然数，且y≥1。

可选的，根据所述第一间距值，对相邻的第i+x个第一目标图形与第i+x+1个第一目标图形进行一次或多次间距调整处理的方法包括：对比所述第一间距值与所述间距阈值；当所述第一间距值小于所述间距阈值时，将第i+x+1个第一目标图形沿所述第一方向上进行一次或多次第一间距尺寸的平移，直至所述第一间距值大于或等于所述间距阈值。