[发明专利]一种建立MOSFET中可伸缩电阻模型的方法有效
| 申请号： | 201911306564.7 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111159964B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 季祥海;刘林林;郭奥 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种建立MOSFET中可伸缩电阻模型的方法，包括：S01：选取MOSFET，得出端头电阻模型；S02：建立源漏电阻辅助测试结构，将所有源区和所有漏区分别短接，并分别测量源区漏区和衬底引出端之间的电阻R |
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| 搜索关键词： | 一种 建立 mosfet 伸缩 电阻 模型 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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