[发明专利]一种建立MOSFET中可伸缩电阻模型的方法

说明书

本发明公开了一种建立MOSFET中可伸缩电阻模型的方法，包括：S01：选取MOSFET，得出端头电阻模型；S02：建立源漏电阻辅助测试结构，将所有源区和所有漏区分别短接，并分别测量源区漏区和衬底引出端之间的电阻Rsubgt;tot1/subgt;和Rsubgt;tot2/subgt;；S03：将源漏电阻辅助测试结构中含沟道的区域换为等效STI，形成STI辅助测试结构，将源漏短接，测量衬底引出端和源漏引出端之间的等效电阻Rsubgt;tot3/subgt;，分别计算源区漏区至STI边界的等效电阻；S04：选取不同尺寸的MOSFET，计算不同尺寸下的源区漏区至STI边界的等效电阻，分别建立源区漏区至STI边界的等效电阻模型。本发明提供的一种建立MOSFET中可伸缩电阻模型的方法，适用于各种版图布局方式，可以方便快捷地计算出版图尺寸对应的源漏区至STI边界的等效电阻。

技术领域

本发明涉及集成电路测试及建模领域，具体涉及一种建立MOSFET中可伸缩电阻模型的方法。

背景技术

在射频(RF)集成电路设计中，随着工作频率的升高，MOSFET的衬底电阻对器件性能的影响将越来越显著，因此对MOSFET器件衬底电阻的精确提取显得越发重要。

根据MOSFET器件有源区的边界，可将其衬底电阻分为源漏区至STI(有源区)边界和STI边界至衬底引出端两部分电阻。对于源漏区至STI边界的电阻，由于MOS器件源漏区与衬底间存在PN结隔离，难以对其阻值进行直接表征。另外，由于在实际的应用中涉及的器件种类较多，难以对所有尺寸与结构的器件进行全部表征，因此建立其基于版图因子的可伸缩(Scalable)模型显得非常重要。

发明内容

本发明的目的是提供一种建立MOSFET中可伸缩电阻模型的方法，可以得出基于版图因子的可伸缩模型，本发明方法适用于各种版图布局方式，可以方便快捷地计算出版图尺寸对应的源漏区至STI边界的等效电阻。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种建立MOSFET中可伸缩电阻模型的方法，所述MOSFET包含源区、漏区、位于源区和漏区之间的沟道和栅极，以及位于源区和漏区外侧的STI；包括如下步骤：

S01：选取MOSFET，建立该MOSFET对应的端头电阻辅助测试结构，所述端头电阻辅助测试结构包括辅助STI和位于辅助STI两侧的相同的衬底接触孔；通过变换辅助STI的宽度和长度，并测量两个衬底接触孔之间对应的电阻值，得出端头电阻模型；

S02：建立源漏电阻辅助测试结构，所述源漏电阻辅助测试结构的版图结构和尺寸均与所述MOSFET相同，将源漏电阻辅助测试结构中的所有源区和所有漏区分别短接，并测量源区和衬底引出端之间的电阻R_tot1，测量漏区与衬底引出端之间的电阻R_tot2；其中，R_tot1＝R_end+R_sti+R_sb-eq，R_tot2＝R_end+R_sti+R_db-eq，R_end表示衬底引出端的端头电阻，R_sti表示STI的寄生电阻，R_sb-eq表示源区至STI边界的等效电阻，R_db-eq表示漏区至STI边界的等效电阻；