[发明专利]一种建立MOSFET中可伸缩电阻模型的方法

权利要求书

1.一种建立MOSFET中可伸缩电阻模型的方法，所述MOSFET包含源区、漏区、位于源区和漏区之间的沟道和栅极，以及位于源区和漏区外侧的STI；其特征在于，包括如下步骤：

S01：选取MOSFET，建立该MOSFET对应的端头电阻辅助测试结构，所述端头电阻辅助测试结构包括辅助STI和位于辅助STI两侧的相同的衬底接触孔；通过变换辅助STI的宽度和长度，并测量两个衬底接触孔之间对应的电阻值，得出端头电阻模型；其中,端头电阻模型的建立方法，具体包括：

S011：对同一辅助STI宽度w_sti，设计不同长度，并测试不同长度下两个衬底接触孔之间的电阻，绘制出电阻随长度变化的曲线，该曲线在纵坐标上截距的一半即为辅助STI在该宽度下对应的端头电阻R_end；

S012：变化辅助STI的宽度w_sti，重复步骤S011M次，即可得出M个宽度下，辅助STI对应的端头电阻R_end；M为大于1的正整数；

S013：根据M个宽度及对应的端头电阻，建立端头电阻模型R_end＝f(w_sti)；

S02：建立源漏电阻辅助测试结构，所述源漏电阻辅助测试结构的版图结构和尺寸均与所述MOSFET相同，将源漏电阻辅助测试结构中的所有源区和所有漏区分别短接，并测量源区和衬底引出端之间的电阻R_tot1，测量漏区与衬底引出端之间的电阻R_tot2；其中，R_tot1＝R_end+R_sti+R_sb-eq，R_tot2＝R_end+R_sti+R_db-eq，R_end表示衬底引出端的端头电阻，R_sti表示STI的寄生电阻，R_sb-eq表示源区至STI边界的等效电阻，R_db-eq表示漏区至STI边界的等效电阻；

S03：将所述源漏电阻辅助测试结构中含沟道的区域换为等效STI，形成STI辅助测试结构，将STI辅助测试结构中的源漏短接，测量衬底引出端和源漏引出端之间的等效电阻R_tot3，R_tot3＝R_end+R_sti+R1，所述MOSFET中源区至STI边界的等效电阻R_sb-eq＝R_tot1–R_tot3+R1，漏区至STI边界的等效电阻R_db-eq＝R_tot2–R_tot3+R1；其中，R1为STI辅助测试结构中源漏引出端至STI边界的等效电阻，其阻值可依据端头电阻模型计算得到；

S04：选取不同尺寸的MOSFET，重复上述步骤S01-S03，计算不同尺寸下的源区至STI边界的等效电阻和漏区至STI边界的等效电阻，分别建立源区至STI边界的等效电阻模型，漏区至STI边界的等效电阻模型。

2.根据权利要求1所述的一种建立MOSFET中可伸缩电阻模型的方法，其特征在于，所述步骤S03中R1＝f(w_sti1)，其中，w_sti1为所述MOSFET中STI的宽度。

3.根据权利要求2所述的一种建立MOSFET中可伸缩电阻模型的方法，其特征在于，所述MOSFET中STI为环状STI时，所述w_sti1为环状STI的周长。

4.根据权利要求1所述的一种建立MOSFET中可伸缩电阻模型的方法，其特征在于，所述端头电阻辅助测试结构中辅助STI为长方体，且高度等于MOSFET中STI的高度。

5.根据权利要求1所述的一种建立MOSFET中可伸缩电阻模型的方法，其特征在于，所述步骤S02中将源漏电阻辅助测试结构中的源区和漏区设置为同类型掺杂。