[发明专利]一种铜桥双面散热的芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911275842.7 申请日: 2019-12-12
公开(公告)号: CN112992836B 公开(公告)日: 2023-01-17
发明(设计)人: 江伟;史波;敖利波;曾丹;肖婷;曹俊 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/29;H01L21/48
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 刘红彬
地址: 519070 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及电子器件技术领域,公开了一种铜桥双面散热的芯片及其制备方法,该铜桥双面散热的芯片包括导线框架、芯片本体、环氧树脂胶膜和铜桥,其中,导线框架包括基岛和管脚两个部分,芯片本体设置于基岛上,芯片本体包括位于朝向基岛一侧且与基岛电性连接的第一连接端和位于背离基岛一侧、通过铜桥与管脚电性连接的第二连接端;环氧树脂胶膜设置于芯片本体上且与每个第二连接端相对的位置设有开孔,开孔内设有结合材以将第二连接端与铜桥固定。该铜桥双面散热的芯片将用于固定第二连接端与铜桥的结合材限定在环氧树脂胶膜的开孔内,可以避免结合材溢出而影响铜桥双面散热的芯片的性能,该铜桥双面散热的芯片可靠性更强、散热效果更好。
搜索关键词: 一种 双面 散热 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
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