[发明专利]一种带隙基准电压源快速启动电路有效
| 申请号： | 201911274929.2 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111142602B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 李兆桂;陈涛 | 申请（专利权）人： | 普冉半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 包姝晴;张静洁 |
| 地址： | 200000 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种带隙基准电压源快速启动电路，其中的带隙基准启动电路，包含：PMOS管PM1和PM2，NMOS管NM1，耗尽型NMOS管NM2，电流源；管NM1和管NM2的栅极连接有Ponrst信号；Ponrst信号在高电平阶段时，管NM1和管NM2开启，电流源电流I |
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| 搜索关键词： | 一种 基准 电压 快速 启动 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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