[发明专利]一种带隙基准电压源快速启动电路

权利要求书

1.一种带隙基准电压源快速启动电路，包含带隙基准启动电路和带隙基准主体电路，其特征在于，

所述带隙基准启动电路，包含：第一PMOS管（PM1）和第二PMOS管（PM2）， 第一NMOS管（NM1），耗尽型NMOS管（NM2），电流源；

其中，第一NMOS管（NM1）的源极通过电流源接地；第一NMOS管（NM1）的漏极、第一PMOS管（PM1）的栅极和漏极、第二PMOS管（PM2）的栅极以及耗尽型NMOS管（NM2）的源极，分别连接至第二节点；

第一PMOS管（PM1）和第二PMOS管（PM2）的源极分别连接至电源电压VDD；第二PMOS管（PM2）的漏极连接至带隙基准主体电路中运算放大器的负输入端VINN；耗尽型NMOS管（NM2）的漏极连接至所述带隙基准主体电路中运算放大器的输出端；

第一NMOS管（NM1）和耗尽型NMOS管（NM2）的栅极连接有Ponrst信号；

其中，Ponrst信号在高电平阶段时，第一NMOS管（NM1）和耗尽型NMOS管（NM2）开启，电流源电流I_bias通过第一PMOS管（PM1）在第二节点处产生偏置电压Pbias_setup，使运算放大器的输出端所对应的Pbias信号的电压与偏置电压Pbias_setup相等。

2.如权利要求1所述带隙基准电压源快速启动电路，其特征在于，

所述带隙基准主体电路，进一步包含：第三PMOS管（PM3）、第四PMOS管（PM4）和第五PMOS管（PM5），电阻R0、R1、R2和R3，三极管Q1和Q2；

其中，运算放大器的负输入端VINN与三极管Q1的发射极连接，还与电阻R1的一端连接；电阻R1的另一端接地，三极管Q1的基极和集电极连接并接地；运算放大器的正输入端VINP，与电阻R2的一端连接，还通过电阻R0与三极管Q2的发射极连接；三极管Q2的基极和集电极连接并接地；电阻R2的另一端接地；运算放大器的输出端，以及第三PMOS管（PM3）、第四PMOS管（PM4）、第五PMOS管（PM5）的栅极分别与第一节点连接，第三PMOS管（PM3）、第四PMOS管（PM4）、第五PMOS管（PM5）的源极分别与电源电压VDD相连接；第三PMOS管（PM3）的漏极接至运算放大器的负输入端VINN，第四PMOS管（PM4）的漏极接至运算放大器的正输入端VINP；第五PMOS管（PM5）的漏极作为输出节点与Vref电压对应，并通过电阻R3接地。

3.如权利要求2所述带隙基准电压源快速启动电路，其特征在于，

基准电压源主体电路启动过程中的电流低于正常工作时的电流。

4.如权利要求1~3中任意一项所述带隙基准电压源快速启动电路，其特征在于，实际的启动电流，通过设定第二PMOS管（PM2）、第三PMOS管（PM3）、第四PMOS管（PM4）、第五PMOS管和第一PMOS管（PM1）之间的镜像比例来控制。

5.如权利要求2所述带隙基准电压源快速启动电路，其特征在于，

所述带隙基准主体电路通过自身反馈调整到正常的工作状态。

6.如权利要求1所述带隙基准电压源快速启动电路，其特征在于，

Ponrst信号由外部的上电清零模块产生；Ponrst信号在上电过程中有高电平阶段，经过有效的清零间隔后，该Ponrst信号跳变为低电平并一直维持。