[发明专利]多应力强化试验剖面编制方法、装置及计算机存储介质在审
| 申请号： | 201911263808.8 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111062183A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 吴建国;于荣刚;李志强;李尧;冯国林;朱仪凡;贾洲侠;刘宝瑞;李艳芬;程昊;陈志军 | 申请（专利权）人： | 北京强度环境研究所;中国运载火箭技术研究院 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398;G06F119/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100076 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 多应力强化试验剖面编制方法、装置及计算机存储介质，包括：确定SiP器件的敏感应力类型；确定所述敏感应力类型对应的强化试验应力极限值；根据所述强化试验应力极限值确定强化试验的应力量级；所述应力量级为小于所述应力极限值的应力值；根据所述应力量级、预先确定的应力组合以及应力作用时序，编制多应力强化试验剖面。采用本申请中的方案，故障激发效率快，在较短时间内快速激发出产品设计和制造的潜在缺陷，并确定其耐受应力的极限值，以此为依据进行改进设计，从而提高弹用复杂结构SiP器件的固有可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 强化 试验 剖面 编制 方法 装置 计算机 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京强度环境研究所;中国运载火箭技术研究院，未经北京强度环境研究所;中国运载火箭技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911263808.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新能源汽车的充电自动对接装置
- 下一篇：一种自动化炼胶加工系统及炼胶方法
